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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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Modulo di alimentazione IGBT

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
Prodotto eccellente, la buona qualità, il prezzo competitivo, servizio professionale, con 10 anni di cooperazione, ora diventiamo buoni amici.

—— Ronald-Da Boilvia

È molto felice da trovare la CIMA come nostro partner in Cina, qui possiamo ottenere il migliore prodotto e serice, mettono sempre il cliente al primo posto.

—— Carlos-Dall'Argentina

Molto sono soddisfatto con tutto il vostro servizio. È realmente un buon gruppo! con la vostra offerta della soluzione della un-fermata, aiutici a risparmiare molti tempo e soldi

—— Giancarlo-Dall'Italia

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Modulo di alimentazione IGBT

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La CINA FF75R12RT4 Modulo IGBT 1200V 75A Bassa Vce(sat) Elevata Robustezza ai Cortocircuiti Basse Perdite di Commutazione Alto Isolamento Per Azionamenti Industriali e Inverter UPS fabbrica

FF75R12RT4 Modulo IGBT 1200V 75A Bassa Vce(sat) Elevata Robustezza ai Cortocircuiti Basse Perdite di Commutazione Alto Isolamento Per Azionamenti Industriali e Inverter UPS

FF75R12RT4 1200V 75A Modulo IGBT Basso Vce(sat) Elevata Robustezza ai Cortocircuiti Basse Perdite di Commutazione Elevato Isolamento Per Azionamenti Industriali e Inverter UPS Caratteristiche Valori nominali ... Leggi di più
2025-12-19 17:44:45
La CINA SK70KQ16 1600V 70A Modulo IGBT veloce a basso Vce (sat) 2.3V Rapido spegnimento Diodo di recupero morbido Alta temperatura 150°C Basse perdite Alta densità di potenza Per UPS e inverter compatti fabbrica

SK70KQ16 1600V 70A Modulo IGBT veloce a basso Vce (sat) 2.3V Rapido spegnimento Diodo di recupero morbido Alta temperatura 150°C Basse perdite Alta densità di potenza Per UPS e inverter compatti

SK70KQ16 1600V 70A Modulo IGBT veloce a basso Vce (sat) 2.3V Rapido spegnimento Diodo di recupero morbido Alta temperatura 150°C Basse perdite Alta densità di potenza Per UPS e inverter compatti Caratteristiche ... Leggi di più
2025-12-18 18:25:15
La CINA SEMIX341D16S Modulo semiponte IGBT 1600V 450A Basso Vce(sat) Diodo a recupero graduale a commutazione rapida Alta temperatura 175°C Grado industriale a bassa perdita Per UPS e inverter solari fabbrica

SEMIX341D16S Modulo semiponte IGBT 1600V 450A Basso Vce(sat) Diodo a recupero graduale a commutazione rapida Alta temperatura 175°C Grado industriale a bassa perdita Per UPS e inverter solari

SEMIX341D16S Modulo semiponte IGBT 1600V 450A Basso Vce(sat) Diodo a recupero graduale a commutazione rapida Alta temperatura 175°C Grado industriale a bassa perdita Per UPS e inverter solari Caratteristiche ... Leggi di più
2025-12-18 18:25:12
La CINA NH1GG69V250P 1250V 250A Modulo MOSFET SiC Basso Rds(on) 3.3mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Bassa Perdita Alta Densità di Potenza Grado Industriale Per Inverter Fotovoltaici e Azionamenti Motore fabbrica

NH1GG69V250P 1250V 250A Modulo MOSFET SiC Basso Rds(on) 3.3mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Bassa Perdita Alta Densità di Potenza Grado Industriale Per Inverter Fotovoltaici e Azionamenti Motore

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET Modulo Low Rds ((on) 3.3mΩ Fast Switching High Frequency Low Loss High Power Density Industrial Grade Per inverter fotovoltaici e motori Caratteristiche Dimensioni secondo la ... Leggi di più
2025-12-18 18:25:09
La CINA NH1GG69V125P 1250V 69A Modulo MOSFET SiC Basso Rds(on) 11mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Alta Temperatura 175°C Basse Perdite Grado Industriale Per Azionamenti Solari e Industriali fabbrica

NH1GG69V125P 1250V 69A Modulo MOSFET SiC Basso Rds(on) 11mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Alta Temperatura 175°C Basse Perdite Grado Industriale Per Azionamenti Solari e Industriali

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET Module Basso Rds(on) 11mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Alta Temperatura 175°C Basse Perdite Grado Industriale Per Azionamenti Solari e Industriali​ Caratteristiche ... Leggi di più
2025-12-18 18:25:07
La CINA NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Fast Switching High Frequency High Efficiency Robust Performance TO-247 Package per server SMPS e motor drives fabbrica

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Fast Switching High Frequency High Efficiency Robust Performance TO-247 Package per server SMPS e motor drives

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET Low Rds ((on) 18mΩ Fast Switching High Frequency High Efficiency Robust Performance TO-247 Package per server SMPS e motor drives Caratteristiche VDS = 60V,ID = 50A RDS ((ON) < 20mΩ ... Leggi di più
2025-12-18 18:25:04
La CINA MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Per PV e UPS fabbrica

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Per PV e UPS

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Per PV e UPS Caratteristiche □ IGBT CHIP ((tecnologia Trench+Field Stop... Leggi di più
2025-12-18 18:25:02
La CINA MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Alta efficienza Alta velocità di commutazione Liquido raffreddato per gli inverter di trazione xEV fabbrica

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Alta efficienza Alta velocità di commutazione Liquido raffreddato per gli inverter di trazione xEV

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET Power Module 400V Low Rds ((on) 1.6mΩ Alta efficienza Alta velocità di commutazione Liquido raffreddato per gli inverter di trazione xEV Caratteristiche Tempo di recupero inverso ... Leggi di più
2025-12-18 18:24:59
La CINA IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264 fabbrica

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Pacchetto TO-264 Caratteristiche Pacchetto Standard Internazionale ... Leggi di più
2025-12-18 18:24:57
La CINA FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 Modulo IGBT Alta densità di potenza bassa Vce(sat) Commutazione rapida ad alta frequenza SOA robusta per azionamenti industriali e UPS fabbrica

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 Modulo IGBT Alta densità di potenza bassa Vce(sat) Commutazione rapida ad alta frequenza SOA robusta per azionamenti industriali e UPS

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 Modulo IGBT Alta densità di potenza bassa Vce(sat) Commutazione rapida ad alta frequenza SOA robusta per azionamenti industriali e UPS Caratteristiche Diodo ingrandito per ... Leggi di più
2025-12-18 18:24:53
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