MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC Half-Bridge Module Low Rds ((on) Fast Switching High Frequency High Temp Operation Low Loss Industrial Grade Per PV e UPS

MMG200Q120B6TC 1200V 200A Modulo Half-Bridge SiC Basso Rds(on) Commutazione Veloce Alta Frequenza Funzionamento ad Alta Temperatura Bassa Perdita Grado Industriale Per PV & UPS

Caratteristiche

• □ CHIP IGBT (tecnologia Trench+Field Stop)

• □ VCE(sat) con coefficiente di temperatura positivo

• □ Elevata capacità di cortocircuito

• □ Commutazione veloce e corrente di coda breve

• □ Diodi a ruota libera con recupero inverso veloce e morbido

• □ Basse perdite di commutazione

Applicazioni

• □ Applicazioni di commutazione ad alta frequenza

• □ Applicazioni mediche

• □ Controllo movimento/servo

• □ Sistemi UPS

Descrizione

Il MMG200Q120B6TC è un modulo di potenza half-bridge in Carburo di Silicio (SiC) ad alte prestazioni progettato per applicazioni industriali ed energetiche robuste. Sfrutta le caratteristiche superiori della tecnologia SiC per offrire alta efficienza e densità di potenza, con una tensione nominale di 1200V e una corrente nominale di 200A. Il modulo presenta una resistenza di stato on (Rds(on)) estremamente bassa, che minimizza le perdite di conduzione, mentre la capacità di commutazione veloce del SiC riduce significativamente le perdite di commutazione. Ciò consente il funzionamento a frequenze più elevate, consentendo componenti passivi più piccoli e progetti di sistemi più compatti. La sua costruzione di grado industriale garantisce un funzionamento affidabile ad alte temperature e in condizioni difficili.

Disegno

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Elenco prodotti
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