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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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Casa ProdottiModulo di alimentazione IGBT

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264 IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

Grande immagine :  IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: IXYS
Certificazione: CE, GCF, ROHS
Numero di modello: IXFN56N90P
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Imballato nel vassoio originale in primo luogo, poi cartone, all'ultima borsa a bolle per l'
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento: T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione: 1000pcs al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
tensione nominale AC IEC: 690 V Valutazione di ampère: 125 A
Conformità RoHS: Larghezza del prodotto: 40 mm
Lunghezza del prodotto: 135 mm Altezza del prodotto: 64 millimetri

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Low Rds ((on) 65mΩ Fast Switching High Frequency Robust Body Diode High Temp Operation TO-264 Package

 

Caratteristiche

  • Pacco di norme internazionali

  • miniBLOC, con isolamento da nitruro di alluminio

  • RDS basso (on) e QG

  • Valutazione delle valanghe

  • Induttanza del pacchetto bassa

  • Rettificatore intrinseco veloce

 

Applicazioni

  • Forniture di alimentazione in modalità interruttore e in modalità risonante

  • Convertitori di corrente continua

  • Guida laser

  • Motori a corrente alternata e continua

  • Robotica e servocontrolli

 

Descrizione

Il...IXFN56N90Pè un MOSFET in carburo di silicio (SiC) ad alta tensione e corrente in un pacchetto TO-264, progettato per fornire efficienza e prestazioni superiori in sistemi di conversione di potenza esigenti.Sfrutta i vantaggi della tecnologia SiC, offre un'eccellente combinazione di una tensione di rottura di 900 V e di una corrente continua di 56 A. La sua resistenza in stato di funzionamento (Rds ((on)) molto bassa di 65 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione,mentre le proprietà intrinseche del SiC consentono velocità di commutazione estremamente veloci con basse perditeCiò riduce le dimensioni e il costo dei componenti passivi come magneti e condensatori.Il MOSFET presenta un robusto diodo intrinseco del corpo con eccellenti caratteristiche di recupero inversoLa sua capacità operativa ad alte temperature e il pacchetto standard del settore lo rendono una soluzione robusta e versatile per i moderni progetti di energia.

 

Informazioni

Categoria
Mfr
Serie
Imballaggio
Tubo
Status della parte
Attivo
Tipo di FET
Tecnologia
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
900 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 3mA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (Max)
± 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (Max)
1000 W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Montaggio del telaio
Confezione del dispositivo del fornitore
SOT-227B
Confezione / Cassa
Numero del prodotto di base

 

Disegno

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264 0

Il nostro vantaggio:Telefoni, PDA e notebook

  • Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono 100% nuove e originali, ROHS
  • Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto a buon prezzo.
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Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.


Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Amplificatore di cristalloOscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

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Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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