La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| tensione nominale AC IEC: | 690 V | Valutazione di ampère: | 125 A |
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| Conformità RoHS: | SÌ | Larghezza del prodotto: | 40 mm |
| Lunghezza del prodotto: | 135 mm | Altezza del prodotto: | 64 millimetri |
| Evidenziare: | MOSFET SiC 900V TO-264,MOSFET a commutazione rapida 56A,Modulo di alimentazione igbt ad alta frequenza |
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Pacchetto TO-264
Caratteristiche
Pacchetto Standard Internazionale
miniBLOC, con isolamento in nitruro di alluminio
Basso RDS(on) e QG
Valutato per valanga
Bassa induttanza del pacchetto
Raddrizzatore intrinseco veloce
Applicazioni
Alimentatori a commutazione e a risonanza
Convertitori DC-DC
Driver laser
Azionamenti per motori AC e DC
Robotica e servocontrolli
Descrizione
L' IXFN56N90P è un MOSFET al carburo di silicio (SiC) ad alta tensione e alta corrente in un package TO-264, progettato per offrire efficienza e prestazioni superiori in sistemi di conversione di potenza esigenti. Sfrutta i vantaggi della tecnologia SiC, offrendo un'eccellente combinazione di una tensione di rottura di 900 V e una corrente continua di 56 A. La sua bassissima resistenza allo stato attivo (Rds(on)) di 65 mΩ minimizza le perdite di conduzione, mentre le proprietà intrinseche del SiC consentono velocità di commutazione estremamente elevate con basse perdite, consentendo il funzionamento ad alta frequenza. Questo riduce le dimensioni e i costi dei componenti passivi come magnetici e condensatori. Il MOSFET è dotato di un robusto diodo corpo intrinseco con eccellenti caratteristiche di recupero inverso, migliorando la sua affidabilità in applicazioni a commutazione dura. La sua capacità di funzionamento ad alta temperatura e il package standard del settore lo rendono una soluzione robusta e versatile per i moderni progetti di alimentazione.
INFORMAZIONI
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Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Tubo
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Stato della parte
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Attivo
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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900 V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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135mOhm @ 28A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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6.5V @ 3mA
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Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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375 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±30V
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Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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23000 pF @ 25 V
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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1000W (Tc)
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Temperatura di esercizio
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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-
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Qualificazione
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-
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Tipo di montaggio
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Montaggio su telaio
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Package del dispositivo del fornitore
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SOT-227B
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Package / Custodia
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Numero di prodotto base
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Disegno
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Il nostro vantaggio:telefoni, PDAand#39;s, computer portatili
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Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,
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