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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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Casa ProdottiModulo di alimentazione IGBT

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
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IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264
IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264 IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

Grande immagine :  IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: IXYS
Certificazione: CE, GCF, ROHS
Numero di modello: IXFN56N90P
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Imballato nel vassoio originale in primo luogo, poi cartone, all'ultima borsa a bolle per l'
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento: T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione: 1000pcs al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
tensione nominale AC IEC: 690 V Valutazione di ampère: 125 A
Conformità RoHS: Larghezza del prodotto: 40 mm
Lunghezza del prodotto: 135 mm Altezza del prodotto: 64 millimetri
Evidenziare:

MOSFET SiC 900V TO-264

,

MOSFET a commutazione rapida 56A

,

Modulo di alimentazione igbt ad alta frequenza

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Pacchetto TO-264

 

Caratteristiche

  • Pacchetto Standard Internazionale

  • miniBLOC, con isolamento in nitruro di alluminio

  • Basso RDS(on) e QG

  • Valutato per valanga

  • Bassa induttanza del pacchetto

  • Raddrizzatore intrinseco veloce

 

Applicazioni

  • Alimentatori a commutazione e a risonanza

  • Convertitori DC-DC

  • Driver laser

  • Azionamenti per motori AC e DC

  • Robotica e servocontrolli

 

Descrizione

L' IXFN56N90P è un MOSFET al carburo di silicio (SiC) ad alta tensione e alta corrente in un package TO-264, progettato per offrire efficienza e prestazioni superiori in sistemi di conversione di potenza esigenti. Sfrutta i vantaggi della tecnologia SiC, offrendo un'eccellente combinazione di una tensione di rottura di 900 V e una corrente continua di 56 A. La sua bassissima resistenza allo stato attivo (Rds(on)) di 65 mΩ minimizza le perdite di conduzione, mentre le proprietà intrinseche del SiC consentono velocità di commutazione estremamente elevate con basse perdite, consentendo il funzionamento ad alta frequenza. Questo riduce le dimensioni e i costi dei componenti passivi come magnetici e condensatori. Il MOSFET è dotato di un robusto diodo corpo intrinseco con eccellenti caratteristiche di recupero inverso, migliorando la sua affidabilità in applicazioni a commutazione dura. La sua capacità di funzionamento ad alta temperatura e il package standard del settore lo rendono una soluzione robusta e versatile per i moderni progetti di alimentazione.

 

INFORMAZIONI

Categoria
Mfr
Serie
Imballaggio
Tubo
Stato della parte
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione Drain-Source (Vdss)
900 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 3mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
375 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (Max)
1000W (Tc)
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Montaggio su telaio
Package del dispositivo del fornitore
SOT-227B
Package / Custodia
Numero di prodotto base

 

Disegno

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Basso Rds(on) 65mΩ Commutazione Veloce Alta Frequenza Diodo Corpo Robusto Funzionamento ad Alta Temperatura Package TO-264 0

Il nostro vantaggio:telefoni, PDAand#39;s, computer portatili

  • Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono nuove e originali al 100%, ROHS
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Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,


Le offerte includono:
Circuito integrato, IC di memoria, Diodo, Transistor, Condensatore, Resistore, Varistore, Fusibile, Trimmer andamp; Potenziometro, Trasformatore, Batteria, Cavo, Relè, Interruttore, Connettore, Morsettiera, Cristallo andamp; Oscillatore, Induttore, Sensore, Trasformatore, Driver IGBT, LED, LCD, Convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)

Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

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Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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