MMBT5551LT1G Transistor NPN ad alta tensione
Caratteristiche
- Prefisso S e NSV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono requisiti unici di modifica del sito e del controllo; AEC-Q101 qualificato e in grado di eseguire PPAP
- Questi dispositivi sono privi di Pb−, di alogeni/BFR e sono conformi alla RoHS
Applicazioni
- Amplificazione del segnale: utilizzato nei pre-amplificatori audio, nelle interfacce dei sensori e in altri stadi di amplificazione del segnale di piccole dimensioni.
- Circuiti di commutazione: ideali per la guida di relè, solenoidi, LED e altri carichi nei sistemi di gestione dell'energia e nelle interfacce logiche.
- Gestione della potenza: utilizzato nelle sorgenti di alimentazione in modalità di commutazione (SMPS), convertitori CC-DC e regolatori di tensione.
- Stadio di guida: utilizzato per tamponare i segnali dai microcontrollori o dagli IC per controllare dispositivi a corrente superiore.
- Uso generale: componente affidabile per elettronica di consumo, sistemi di controllo industriali, moduli automobilistici e apparecchiature di telecomunicazione.
Descrizione
L'MMBT5551LT1G è un transistor a giunzione bipolare (BJT) ad alta tensione a uso generale NPN ospitato in un pacchetto di montaggio superficiale SOT-23 che consente di risparmiare spazio.È progettato per fornire prestazioni robuste in una vasta gamma di circuiti elettroniciQuesto transistor è caratterizzato da un elevato guadagno di corrente continua, bassa tensione di saturazione e velocità di commutazione veloci.Fabbricati con materiali privi di alogeni e di piombo, è pienamente conforme a RoHS e ad altre norme ambientali, rendendolo una scelta affidabile ed ecologica per l'elettronica moderna.
Specificità
| Categoria |
Prodotti semiconduttori discreti Transistori Bipolari (BJT) Transistori mono-bipolari |
| Mfr |
semi |
| Imballaggio |
Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel® |
| Status della parte |
Attivo |
| Tipo di transistor |
NPN |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) |
600 mA |
| Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max) |
160 V |
| Vce saturazione (max) @ Ib, Ic |
200mV @ 5mA, 50mA |
| Corrente - limite del collettore (massimo) |
100nA |
| Cfr. la tabella di cui al punto 6.2. |
80 @ 10mA, 5V |
| Potenza - Max |
225 mW |
| Temperatura di funzionamento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Montaggio superficiale |
| Confezione / Cassa |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Confezione del dispositivo del fornitore |
SOT-23-3 (TO-236) |
| Numero del prodotto di base |
MMBT5551 |
Disegno
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