IRF5305PBF MOSFET a canale P -55V Vdss -31A Id 65mOhm Rds(on) commutazione rapida gate di livello logico package TO-220
Caratteristiche
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Modalità di miglioramento a canale P – Semplifica la commutazione high-side senza richiedere una pompa di carica o un level shifter.
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-55V Tensione Drain-Source (Vdss) – Adatto per sistemi bus automobilistici e industriali da 12V, 24V e 48V.
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-31A Corrente di Drain Continua (Id) – Gestisce in sicurezza carichi di corrente da moderata ad alta.
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65mΩ Max Rds(on) – Bassa perdita di conduzione migliora l'efficienza e riduce la generazione di calore.
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Gate Drive di Livello Logico – Completamente potenziato con Vgs = -5V a -10V, compatibile con microcontrollori da 3.3V/5V.
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Velocità di Commutazione Rapida – Bassa carica di gate (Qg = 63nC tipico) minimizza le perdite di commutazione nelle applicazioni PWM.
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Conforme a RoHS e senza piombo – Il suffisso "PBF" indica terminazioni ecocompatibili e senza piombo.
Applicazioni
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Protezione da Inversione di Polarità – Protegge i circuiti di ingresso DC da un'accidentale inversione della batteria nei dispositivi automobilistici e portatili.
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Sistemi di Gestione delle Batterie (BMS) – Disconnessione high-side per pacchi batteria Li-ion, LiFePO4 e al piombo.
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Interruttori di Carico – Abilita/disabilita l'alimentazione a moduli, sensori o circuiti periferici nei sistemi embedded.
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Controllo Motori DC – Controllo di velocità PWM a bassa frequenza per piccoli motori a spazzole (utensili elettrici, pompe, ventilatori).
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Selezione Alimentazione – Commuta tra batterie primarie e di backup o ingressi adattatori AC.
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Driver LED – Controllo di dimming high-side per illuminazione automobilistica, segnaletica e lampade industriali.
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Controller di Carica Solare – Funzione di disconnessione per pannelli o batterie in sistemi off-grid a bassa potenza.
Descrizione
Il IRF5305PBF è un MOSFET di potenza a canale P che utilizza la tecnologia avanzata HEXFET®. Alloggiato in un package TO-220 standard del settore, è progettato per applicazioni di commutazione ad alta efficienza che richiedono bassa resistenza allo stato ON e prestazioni di commutazione rapide. Con una tensione drain-source nominale di -55V e una corrente di drain continua di -31A, questo dispositivo è ideale per la commutazione di carico, la protezione della batteria e i circuiti di gestione dell'alimentazione in cui è preferito un ground positivo o uno switch a canale P high-side. Il gate drive di livello logico semplifica l'interfaccia con microcontrollori e circuiti di controllo a bassa tensione.
INFORMAZIONI
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categoria
Prodotti semiconduttori discreti
Transistor
FACT,MOSFET
单 DONE,MOSFET
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Vgs(th) per diversi ID (massimo)
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produttore
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Carica di gate (Qg) a diversi Vgs (max)
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serie
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Vgs (max)
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Confezionamento
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Capacità di ingresso (CIS) a diversi Vds (Max)
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Stato del componente
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Dissipazione di potenza (Max)
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tipo FET
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Temperatura operativa
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Tecnologia
MOSFET (Ossidi Metallici)
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Tipo di montaggio
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Tensione Drain Source (Vdss)
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Package del dispositivo del fornitore
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Corrente a 25°C - Continua di Drain (ID)
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Package/Involucro
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Tensione di pilotaggio (RDS On Max, RDS ON Min)
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Numero prodotto base
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Resistenza ON a diversi ID e Vgs (max)
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