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MOSFET di potenza Ultra-Basso 0,0015Ω in Dual PQFN con Valore di Avalance AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logic Level e Senza Alogeni per la Conversione di Potenza ad Alta Efficienza

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MOSFET di potenza Ultra-Basso 0,0015Ω in Dual PQFN con Valore di Avalance AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logic Level e Senza Alogeni per la Conversione di Potenza ad Alta Efficienza

Grande immagine : MOSFET di potenza Ultra-Basso 0,0015Ω in Dual PQFN con Valore di Avalance AEC-Q101 175°C -40V/-30V Logic Level e Senza Alogeni per la Conversione di Potenza ad Alta Efficienza

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	Infineon
Certificazione:	CE, GCF, ROHS
Numero di modello:	IRF7351TRPBF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	negotiable
Imballaggi particolari:	Imballato nel vassoio originale in primo luogo, poi cartone, alland#39;ultima borsa a bolle per land
Tempi di consegna:	3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento:	T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione:	1000pcs al mese

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Funzione:	Step-up, Step-Down	Configurazione di output:	Positivo o negativo
Topologia:	Buck, boost	Tipo di output:	Regolabile
Numero di output:	1
Evidenziare:	MOSFET di potenza a bassissimo valore di 0 , 0015Ω , MOSFET con certificazione AEC-Q101 per valanga

MOSFET di potenza Ultra-Basso 0,0015andOmega; in Dual PQFN con Valore di Valanga AEC-Q101 175anddeg;C -40V/-30V Livello Logico e Senza Alogeni per la Conversione di Potenza ad Alta Efficienza

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Caratteristiche

Impedenza di Gate Ultra-Bassa

Tensione e Corrente di Valanga Completamente Caratterizzate

20V VGS Max. Valore di Gate

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Applicazioni

MOSFET Raddrizzatore Sincrono per Convertitori DC-DC Isolati

Sistemi di Azionamento Motore a Bassa Potenza

andnbsp;

Descrizione

L'IRF7351TRPBF è un MOSFET a doppio canale N ad alte prestazioni di Infineon Technologies, integrato in un compatto package PQFN 5x6 mm. È specificamente progettato per convertitori buck sincroni e altre applicazioni di gestione dell'alimentazione che richiedono alta efficienza e alta densità di potenza.

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INFORMAZIONI

Categoria	Prodotti a Semiconduttore Discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	andnbsp;
Produttore	Infineon Technologies	andnbsp;
Serie	HEXFETandreg;	andnbsp;
Imballaggio	Nastro and Rullo (TR) Nastro Tagliato (CT) Digi-Reelandreg;	andnbsp; andnbsp; andnbsp;
Stato Parte	Attivo	andnbsp;
Tecnologia	MOSFET (Ossido di Metallo)	andnbsp;
Configurazione	2 Canali N (Dual)	andnbsp;
Caratteristica FET	Gate Livello Logico	andnbsp;
Tensione Drain-Source (Vdss)	60V	andnbsp;
Corrente - Drain Continuo (Id) @ 25anddeg;C	8A	andnbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8A, 10V	andnbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 50andmicro;A	andnbsp;
Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V	andnbsp;
Capacitanza di Ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 30V	andnbsp;
Potenza - Max	2W	andnbsp;
Temperatura di Esercizio	-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)	andnbsp;
Tipo di Montaggio	Montaggio Superficiale	andnbsp;
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Larghezza)	andnbsp;
Package Dispositivo Fornitore	8-SO	andnbsp;
Numero Prodotto Base	IRF7351

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Disegno

Il nostro vantaggio:telefoni, PDA, computer portatili

Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono nuove e originali al 100%, ROHS
Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto con un buon prezzo.
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Inventario adeguato --- Con il supporto del nostro forte team di acquisto,
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Elenco Prodotti
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Circuito Integrato, IC di Memoria, Diodo, Transistor, Condensatore, Resistore, Varistore, Fusibile, Trimmer e Potenziometro, Trasformatore, Batteria, Cavo, Relè, Interruttore, Connettore, Morsettiera, Cristallo e Oscillatore, Induttore, Sensore, Trasformatore, Driver IGBT, LED, LCD, Convertitore, PCB (Circuito Stampato), PCBA (Assemblaggio PCB)

Forte nel Marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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