La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
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| Topologia: | Buck, boost | Tipo di output: | Regolabile |
| Numero di output: | 1 | ||
| Evidenziare: | 800V Power MOSFET for SMPS,Super Junction MOSFET low Rds(on),Halogen-Free Power MOSFET industrial drives |
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SPA04N80C3XKSA1 Potenza MOSFET 800V Ultra-Alta Tensione 4A Corrente Bassa Rds ((on) Tecnologia di Super Junction Low Gate Charge Alta efficienza senza alogeni prestazioni robuste per SMPS e ampere;Motori industriali
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Caratteristiche
Nuova rivoluzionaria tecnologia ad alta tensione
Dvd/dt nominale estremo
Capacità di corrente di picco elevata
Qualificato secondo JEDEC1) per applicazioni mirate
Pb-free lead plating; conforme alla normativa RoHS
Carica di porta ultra bassa
Capacità effettive estremamente basse
Pacco completamente isolato (2500 VAC; 1 minuto)
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Applicazioni
1Fornitori di alimentazione in modalità interruttore (SMPS)
2:Circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC)
3Motori e dispositivi di comando industriali
4:Ballasti di illuminazione e driver a LED
5:Sistemi di energia rinnovabile
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Descrizione
L'SPA04N80C3XKSA1 è un MOSFET ad alta tensione a canale N che utilizza una tecnologia avanzata di super giunzione,fornire un'efficienza e un'affidabilità eccezionali per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
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Informazioni
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Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Tubo
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Status della parte
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Non utilizzato
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Tipo di FET
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Tecnologia
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
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800 V
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Corrente - scarico continuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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3.9V @ 240andmicro;A
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Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
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31 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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eplusmn;20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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570 pF @ 100 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (Max)
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38W (Tc)
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Attraverso il buco
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Confezione del dispositivo del fornitore
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PG-TO220-3-31
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Confezione / Cassa
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Numero del prodotto di base
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Disegno
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Il nostro vantaggio:Telefoni, PDA e notebook
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assicurarsi di soddisfare le vostre esigenze di tutti i tipi di componenti.^_^
Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.
Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Amplificatore di cristalloOscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)
Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220