FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM con 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151 anni di conservazione dei dati 2.0-3.6V Operazione da -40°C a +85°C e piccolo pacchetto SOIC

FM25CL64B-GTR 64Kb Serial F-RAM con 20MHz SPI No-Delay Writes 10^14 Endurance 151 anni di conservazione dei dati 2.0-3.6V Operazione da -40°C a +85°C e piccolo pacchetto SOIC

Caratteristiche

■ Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) a 64 Kb organizzata logicamente in 8K × 8

️ Alta resistenza 100 trilioni (1014) di lettura/scrittura

¢ conservazione dei dati per 151 anni (vedere conservazione e durata dei dati a pagina 12)

NoDelayTM scrive

¢ processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità

■ Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce

Frequenza fino a 20 MHz

- sostituzione diretta dell'hardware per flash seriale e EEPROM

Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)

■ Sistema di protezione da scrittura sofisticato

Protezione dell'hardware con il pin Write Protect (WP)

Protezione del software utilizzando l'istruzione Write Disable

Protezione dei blocchi software per 1/4, 1/2 o per l'intero array

■ basso consumo energetico

️ 200 ️A corrente attiva a 1 MHz

corrente di stand-by (tipica) di 3 A

■ Funzionamento a bassa tensione: VDD = 2,7 V a 3,65 V

■ Temperatura industriale: da 40 a + 85 °C

■ pacchetti

¢ pacchetto di circuiti integrati a contorno piccolo (SOIC) a 8 pin

¢ pacchetto a 8 pin (DFN) sottile, doppio piatto e senza conduttori

■ Limitazione delle sostanze pericolose (RoHS)

Applicazioni

1. Sistemi di automazione e controllo industriali

Esempi: PLC (controller logici programmabili), sensori intelligenti, motori motori, robot industriali.

Perché è adatto: Questi sistemi devono registrare continuamente e rapidamente i parametri operativi, i registri degli eventi, i dati di guasto o i numeri di produzione.Scrive senza ritardi per garantire che i dati critici siano salvati completamente anche al momento della perdita di potenza, evitando la perdita di dati dovuta a ritardi di scrittura.

2. elettronica automobilistica

Esempi: Registratori di dati di eventi (EDR) in ADAS, scatole nere automobilistiche, gruppi di strumenti, moduli di controllo del corpo.

Perché è adatto: richiede la registrazione istantanea di grandi quantità di dati del sensore in caso di incidente o perdita improvvisa di energia.La sua elevata resistenza è adatta anche per dati frequentemente aggiornati come chilometraggio o numeri di porte aperte / chiuse.

3. attrezzature mediche

Esempi: Monitor medici portatili (ad esempio, misuratori di glucosio, misuratori della frequenza cardiaca), dispositivi impiantabili, apparecchiature diagnostiche.

Perché è adatto: I dispositivi devono registrare in modo affidabile i dati del paziente, i registri di utilizzo e le informazioni di taratura.Il basso consumo energetico e l'elevata affidabilità della F-RAM sono fondamentali per la sicurezza dei dati e il funzionamento stabile a lungo termine.

4. Smart Metering and Measurement Systems (Sistemi di misurazione e misurazione intelligenti)

Esempi: contatori intelligenti dell'elettricità, contatori dell'acqua, contatori del gas.

Perché è adatto: richiede l'aggiornamento dei dati di utilizzo cumulativo ogni pochi secondi e la memorizzazione del valore finale immediatamente prima della perdita di potenza.Le frequenti scritture giornaliere rappresentano una sfida significativa per l'EEPROM, ma non per l'F-RAM.

5. Registratori di dati

Esempi: monitoraggio ambientale (temperatura, umidità, registratori di pressione), localizzatori GPS.

Perché è adatto: Queste applicazioni richiedono una registrazione continua dei flussi di dati ad alte frequenze.L'elevata velocità di scrittura e l'infinita resistenza della F-RAM consentono di registrare i dati in modo fluido senza il rischio di perdita di dati o colli di bottiglia causati dai ritardi di scrittura inerenti all'EEPROM.

6Elettronica di consumo di fascia alta

Esempi: apparecchiature audio professionali, hub domestici intelligenti, periferiche di gioco.

Perché è adatto: Quando è necessario un rapido salvataggio delle impostazioni dell'utente, dello stato del gioco o dei dati dei sensori in tempo reale, la F-RAM fornisce un'esperienza più fluida e affidabile di EEPROM.

Descrizione

La FM25CL64B è una memoria non volatile a 64 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato.Esso garantisce una conservazione dei dati affidabile per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, costi generali e problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriale, EEPROM e altre memorie non volatili.

A differenza del flash seriale e dell'EEPROM, l'FM25CL64B esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus.I dati vengono scritti nella matrice di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di un sondaggio dei dati.Il FM25CL64B è in grado di supportare 1014 cicli di lettura/scrittura, o 100 milioni di volte più cicli di scrittura di EEPROM.

Queste funzionalità rendono l'FM25CL64B ideale per applicazioni di memoria non volatile che richiedono frequenti o rapide scritture.quando il numero di cicli di scrittura può essere critico, ai controlli industriali più impegnativi in cui il lungo tempo di scrittura di flash seriale o EEPROM può causare perdita di dati.

L'FM25CL64B offre notevoli vantaggi agli utenti di EEPROM seriale o flash come sostituzione hardware.che migliora la capacità di scrittura ad alta velocità della tecnologia F-RAMLe specifiche del dispositivo sono garantite su un intervallo di temperatura industriale compreso tra 40 °C e + 85 °C.

Informazioni

Disegno

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Elenco dei prodotti
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Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Cristallo e oscillatore, Induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.