IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 SRAM ad alta velocità 10ns 3.3V Operazione a bassa potenza Temperatura industriale (-40°C a +85°C) Pacchetto BGA a 48 sfere Funzionamento asincrono Elevata affidabilità Conservazione dei dati

IS61WV102416BLL-10TLI 1Mx16 SRAM ad alta velocità da 10 ns 3,3 V Funzionamento a basso consumo Temp. industriale (da -40°C a +85°C) Pacchetto BGA a 48 sfere Funzionamento asincrono Conservazione dei dati ad alta affidabilità

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CARATTERISTICHE

andbull; Tempi di accesso Alta Velocità: 8, 10, 20 ns

andbull; Processo CMOS ad alte prestazioni e a basso consumo

andbull; Pin multipli di alimentazione centrale e di terra per una maggiore immunità al rumore

andbull; Facile espansione della memoria con opzioni CE e OE

andbull; Spegnimento CE

andbull; Funzionamento completamente statico: non è richiesto alcun orologio o aggiornamento

andbull; Ingressi e uscite compatibili con TTL

andbull; Alimentazione singola

enbsp; Vdd da 1,65 V a 2,2 V (IS61WV102416ALL)

enbsp; velocità = 20ns per

enbsp; Vdd da 1,65 V a 2,2 V Vdd da 2,4 V a 3,6 V (IS61/64WV102416BLL)

enbsp; velocità = 10ns per Vdd da 2,4 V a 3,6 V

enbsp; velocità = 8ns per Vdd 3,3V + 5%

andbull; Pacchetti disponibili:

enbsp; e poi; MiniBGA da 48 palline (9 mm x 11 mm)

enbsp; e poi; TSOP a 48 pin (Tipo I)

andbull; Supporto della temperatura industriale e automobilistica

andbull; Disponibile senza piombo

andbull; Controllo dei dati per byte superiori e inferiori

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Applicazioni

1: Automazione industriale (PLC, robotica)

2: Elettronica automobilistica (ECU, ADAS)

3: Apparecchiature di rete (router, switch)

4:Sistemi Embedded (elaborazione audio/video, aerospaziale)

5:Buffer/caching dei dati ad alta velocità

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Descrizione

ISSI IS61WV102416ALL/BLL e IS64WV102416BLL sono RAM statiche da 16 Mbit ad alta velocità organizzate come parole da 1024K per 16 bit. È fabbricato utilizzando la tecnologia CMOS ad alte prestazioni dell'ISSI. Questo processo altamente affidabile, abbinato a tecniche innovative di progettazione dei circuiti, produce dispositivi ad alte prestazioni e a basso consumo energetico.

Quando CE è ALTO (deselezionato), il dispositivo assume una modalità standby in cui la dissipazione di potenza può essere ridotta con i livelli di ingresso CMOS.

La facile espansione della memoria è fornita utilizzando gli ingressi Chip Enable e Output Enable, CE e OE. Il LOW Write Enable (WE) attivo controlla sia la scrittura che la lettura della memoria. Un byte di dati consente l'accesso al byte superiore (UB) e al byte inferiore (LB).

Il dispositivo è confezionato nello standard JEDEC TSOP Tipo I a 48 pin e Mini BGA a 48 pin (9 mm x 11 mm).

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INFORMAZIONI

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Disegno

Il nostro vantaggio:telefoni, PDA, computer notebook

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Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, andamp attivi; Componenti passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la nascita del PCB, IN una parola, puoi ottenere una soluzione completa qui,


Le offerte comprendono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer e amp; Potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo andamp; Oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (gruppo PCB)

Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON,YAGEO, TDK, ecc.