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SI2304DS, MOSFET N-Channel 20V 3.7A con RDS(on) Ultra-Basso 45mΩ, Package SOT-23, Prestazioni Elevate, Gestione dell'Alimentazione ad Efficienza Ottimizzata e Pilotaggio Gate a Livello Logico per Progetti con Spazio Limitato

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La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni

Prodotto eccellente, la buona qualità, il prezzo competitivo, servizio professionale, con 10 anni di cooperazione, ora diventiamo buoni amici.

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SI2304DS, MOSFET N-Channel 20V 3.7A con RDS(on) Ultra-Basso 45mΩ, Package SOT-23, Prestazioni Elevate, Gestione dell'Alimentazione ad Efficienza Ottimizzata e Pilotaggio Gate a Livello Logico per Progetti con Spazio Limitato

Grande immagine : SI2304DS, MOSFET N-Channel 20V 3.7A con RDS(on) Ultra-Basso 45mΩ, Package SOT-23, Prestazioni Elevate, Gestione dell'Alimentazione ad Efficienza Ottimizzata e Pilotaggio Gate a Livello Logico per Progetti con Spazio Limitato

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	NXP Semiconductors
Certificazione:	CE, GCF, ROHS
Numero di modello:	Si2304ds, 215

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	negotiable
Imballaggi particolari:	Imballato nel vassoio originale in primo luogo, poi cartone, all'ultima borsa a bolle per l'
Tempi di consegna:	3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento:	T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione:	1000pcs al mese

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Funzione:	Step-up, Step-Down	Configurazione di output:	Positivo o negativo
Topologia:	Buck, boost	Tipo di output:	Regolabile
Numero di output:	1

SI2304DS, 215 MOSFET N-Channel 20V 3.7A con RDS(on) Ultra-Basso 45mΩ Pacchetto SOT-23 Gestione dell'alimentazione ad alta efficienza e livello logico Gate Drive per progetti con spazio limitato

Caratteristiche

Tecnologia TrenchMOS™

Commutazione molto veloce

Pacchetto di montaggio superficiale subminiaturizzato.

Applicazioni

Gestione della batteria

Interruttore ad alta velocità

Convertitore DC-DC a bassa potenza.

Descrizione

Transistor a effetto di campo a canale N in modalità di potenziamento in un pacchetto di plastica che utilizza la tecnologia TrenchMOS™1

Disponibilità del prodotto: SI2304DS in SOT23.

INFORMAZIONI

Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Mfr	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Imballaggio	Nastro & Rullo (TR) Nastro tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato della parte	Obsoleto
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain-Source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C	1.7A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	117mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	195 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (Max)	830mW (Tc)
Temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualificazione	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-236AB
Pacchetto / Custodia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Disegno

Il nostro vantaggio:

Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono nuove e originali al 100%, ROHS
Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto con un buon prezzo.
Servizio professionale --- rigorosi test di qualità prima della spedizione e perfetto servizio post-vendita dopo l'acquisto.
Inventario adeguato --- Con il supporto del nostro forte team di acquisto,
Consegna veloce --- spediremo la merce entro 1-3 giorni lavorativi dopo la conferma del pagamento.

assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.^_^

Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,

Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo e oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)

Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

Altri prodotti

SSM3K361R,LF N-Channel 20V 3A MOSFET con ultra-basso 40mΩ RDS ((on) SOT-23 Pacchetto Alta densità di potenza Efficienza superiore Switching veloce e controllo del livello logico per progetti compatti

Funzione: Step-up, Step-Down

Configurazione di output: Positivo o negativo

Topologia: Buck, boost