FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistenza illimitata 150ns No-Delay Writes 1MHz I2C Interfaccia 10^14 Cicli di lettura/scrittura Bassi 50μA Corrente in standby e 40 anni di conservazione dei dati

FM24CL04B-G 4Kb FRAM a 5V con resistenza illimitata 150ns Scritture senza ritardi Interfaccia I2C da 1MHz 10^14 cicli di lettura/scrittura Basso 50 μA Corrente di standby e 40 anni di conservazione dei dati

• Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) da 4-Kbit organizzata logicamente come 512 × 8
  • Resistenza elevata 100 trilioni (10¹⁴) letture/scritture
  • Conservazione dei dati di 151 anni (Vedere Conservazione dei dati e resistenza a pagina 10)
  • Scritture NoDelay™
  • Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
• Interfaccia seriale a 2 fili veloce (I2C)
  • Fino a 1 MHz di frequenza
  • Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C)
  • Supporta i tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
• Basso consumo energetico
  • 100 μA corrente attiva a 100 kHz
  • 3 μA (tip) corrente di standby
• Funzionamento della tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V
• Temperatura industriale: da -40℃ a +85℃
• Pacchetto a circuito integrato a piccolo profilo (SOIC) a 8 pin
• Conforme alla restrizione delle sostanze pericolose (RoHS)

L'FM24CL04B è una memoria non volatile da 4-Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o F-RAM è non volatile ed esegue letture e scritture simili a una RAM. Fornisce una conservazione dei dati affidabile per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili.

A differenza di EEPROM, l'FM24CL04B esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito correttamente al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una sostanziale resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili. Inoltre, F-RAM mostra una potenza molto inferiore durante le scritture rispetto a EEPROM poiché le operazioni di scrittura non richiedono una tensione di alimentazione interna elevata per i circuiti di scrittura. L'FM24CL04B è in grado di supportare 10¹⁴ cicli di lettura/scrittura, o 100 milioni di volte più cicli di scrittura rispetto a EEPROM.

Queste capacità rendono l'FM24CL04B ideale per applicazioni di memoria non volatile, che richiedono scritture frequenti o rapide. Gli esempi vanno dalla registrazione dei dati, in cui il numero di cicli di scrittura può essere critico, ai controlli industriali esigenti in cui il lungo tempo di scrittura di EEPROM può causare la perdita di dati. La combinazione di funzionalità consente una scrittura dei dati più frequente con meno overhead per il sistema.

L'FM24CL04B offre vantaggi sostanziali agli utenti di EEPROM seriale (I2C) come sostituzione hardware diretta. Le specifiche del dispositivo sono garantite su un intervallo di temperatura industriale da -40°C a +85°C.

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