FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistenza illimitata 150ns No-Delay Writes 1MHz I2C Interfaccia 10^14 Cicli di lettura/scrittura Bassi 50μA Corrente in standby e 40 anni di conservazione dei dati

FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM con resistenza illimitata 150ns No-Delay Writes 1MHz I2C Interfaccia 10^14 Cicli di lettura/scrittura Bassi 50 μA Corrente in standby e 40 anni di conservazione dei dati

• Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) a 4 Kbit organizzata logicamente come 512 × 8
  • Alta resistenza 100 trilioni (10¹⁴) legge/scrive
  • Ritenzione dei dati per 151 anni (vedere Ritenzione e durata dei dati a pagina 10)
  • NoDelayTM scrive
  • Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
• Interfaccia seriale a due fili veloce (I2C)
  • Frequenza fino a 1 MHz
  • Sostituzione diretta dell'hardware per EEPROM seriale (I2C)
  • Supporta i tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz
• Basso consumo energetico
  • 100 μA di corrente attiva a 100 kHz
  • 3 μA di corrente in standby (tipica)
• Funzionamento a tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V
• Temperatura industriale: da -40°C a +85°C
• pacchetto di circuiti integrati a contorno piccolo (SOIC) a 8 pin
• Restrizione delle sostanze pericolose (RoHS)

La FM24CL04B è una memoria non volatile da 4 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato.Esso garantisce una conservazione dei dati affidabile per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, costi generali e problemi di affidabilità a livello di sistema causati da EEPROM e altre memorie non volatili.

A differenza dell'EEPROM, l'FM24CL04B esegue le operazioni di scrittura alla velocità del bus.I dati vengono scritti nella matrice di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di un sondaggio dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza di scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.F-RAM presenta una potenza molto inferiore durante le scritture rispetto a EEPROM poiché le operazioni di scrittura non richiedono una tensione di alimentazione elevata internamente per i circuiti di scritturaIl FM24CL04B è in grado di supportare 10¹⁴cicli di lettura/scrittura, ovvero 100 milioni di volte più cicli di scrittura di EEPROM.

Queste funzionalità rendono l'FM24CL04B ideale per applicazioni di memoria non volatile, che richiedono scritture frequenti o rapide.,La combinazione di caratteristiche consente di scrivere dati più frequentemente con meno spese generali per il sistema.

L'FM24CL04B offre notevoli vantaggi agli utenti di EEPROM seriale (I2C) come sostituzione hardware drop-in.Le specifiche del dispositivo sono garantite in un intervallo di temperatura industriale da -40°C a +85°C.

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