CSD17573Q5BT 40V MOSFET NexFETTM N-Channel con 1.7mΩ RDS ((on) 75A Corrente 175°C Basso Qg 5mm×6mm SON Pacchetto AEC-Q101 Design qualificato e privo di piombo
Caratteristiche
• Basso Qg e Qgd
• RDS ultra-basso acceso
• Bassa resistenza termica
• Avalanche classificata
• Terminale senza piombo
• RoHSCompliant
• Libero da alogene
• SON5-mm×6-mmPalazzo di plastica
Applicazioni
• Convertitore sincrono a buco per applicazioni in reti, telecomunicazioni e sistemi informatici
• Ottimizzato per applicazioni FET sincrone
Descrizione
Questo MOSFET di potenza da 0,84 mΩ, 30-V, SON 5 mm × 6 mm NexFETTM è progettato per ridurre al minimo le perdite nelle applicazioni di conversione di potenza.
Informazioni
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Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
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Status della parte
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Tipo di FET
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Tecnologia
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
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Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Max)
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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Temperatura di funzionamento
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Confezione del dispositivo del fornitore
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Confezione / Cassa
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Numero del prodotto di base
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Disegno
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