La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
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Topologia: | Buck, boost | Tipo di output: | Regolabile |
Numero di output: | 1 | ||
Evidenziare: | MOSFET IPA60R125P6 600V/125A,MOSFET IPA60R125P6 di Grado Automotive,IPA60R125P6 |
IPA60R125P6 600V/125A MOSFET 60mΩ RDS(on) Package TO-247 Commutazione veloce Grado automotive ad alta efficienza Prestazioni termiche robuste - Ideale per azionamenti motore e inverter
Caratteristiche
•Maggiore robustezza dv/dt del MOSFET
•Perdite estremamente basse grazie a FOM Rdson*Qg e Eoss molto bassi
•Robustezza di commutazione molto elevata
•Facile da usare/pilotare
•Placcatura senza piombo, composto per stampaggio senza alogeni
•Qualificato per applicazioni di grado industriale secondo JEDEC (J-STD20 e JESD22)
Applicazioni
Stadi PFC, stadi PWM a commutazione dura e stadi a commutazione risonante per ad esempio PCSilverbox, adattatore, LCD e PDPTV, illuminazione, server, telecomunicazioni e UPS.
Descrizione
CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e pionieristica da Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ P6 combina l'esperienza del principale fornitore di SJMOSFET con un'innovazione di alta classe. I dispositivi offerti offrono tutti i vantaggi di un SJMOSFET a commutazione veloce senza sacrificare la facilità d'uso. Le perdite di commutazione e conduzione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte, più leggere e più fredde.
INFORMAZIONI
Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Tubo
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Stato della parte
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Attivo
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione da drain a source (Vdss)
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600 V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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125mOhm @ 11.6A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4.5V @ 960µA
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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56 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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2660 pF @ 100 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (Max)
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34W (Tc)
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Temperatura di esercizio
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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-
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Qualifica
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-
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Tipo di montaggio
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Through Hole
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Package del dispositivo del fornitore
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PG-TO220-FP
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Package / Case
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Numero di prodotto di base
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Disegno
Il nostro vantaggio:
assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.^_^
Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,
Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo e oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)
Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220