La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Frequency Stability: | ±50ppm | Frequency Tolerance: | ±30ppm |
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Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C | Load Capacitance: | 18pF |
Package / Case: | HC-49/US | Name: | Passive Electronic Components |
IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOS™ 360mΩ RDS(on) 11A Corrente Basse Perdite di Commutazione Ultra-Basse Alta Efficienza Robusta Protezione ESD Package TO-220 per SMPS e Applicazioni Industriali
Caratteristiche
•Adatto per commutazione dura e morbida (PFC e LLC) grazie a un'eccezionale robustezza di commutazione
•Riduzione significativa delle perdite di commutazione e conduzione
•Eccellente robustezza ESD >2kV (HBM) per tutti i prodotti
•Migliore RDS(on)/prodotti package rispetto alla concorrenza grazie a un basso RDS(on)*A (inferiore a 1Ohm*mm²)
Vantaggi
•Facilità d'uso e rapido design-in grazie alla bassa tendenza all'oscillazione e all'utilizzo in stadi PFC e PWM
•Gestione termica semplificata grazie alle basse perdite di commutazione e conduzione
•Soluzioni a maggiore densità di potenza rese possibili dall'utilizzo di prodotti con ingombro ridotto e maggiore qualità di produzione grazie alla protezione ESD >2kV •Adatto a un'ampia varietà di applicazioni e gamme di potenza
Applicazioni potenziali
Stadi PFC, stadi PWM a commutazione dura e stadi a commutazione risonante, ad esempio PCSilverbox, Adattatore, LCD e PDPTV, Illuminazione, Server, Telecomunicazioni e UPS.
Validazione del prodotto
Qualificato secondo lo standard JEDEC
MOSFET
Dispositivo di alimentazione CoolMOSª P7 da 600 V
La piattaforma di settima generazione CoolMOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata secondo il principio della supergiunzione (SJ) e pionieristica da Infineon Technologies. La serie CoolMOS™ P7 da 600 V è il successore della serie CoolMOS™ P6. Combina i vantaggi di un MOSFET SJ a commutazione rapida con un'eccellente facilità d'uso, ad esempio una bassissima tendenza all'oscillazione, un'eccezionale robustezza del diodo del corpo contro la commutazione dura ed eccellenti capacità ESD. Inoltre, le perdite di commutazione e conduzione estremamente basse rendono le applicazioni di commutazione ancora più efficienti, più compatte e molto più fredde.
INFORMAZIONI
Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Tubo
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Stato della parte
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Attivo
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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600 V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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360mOhm @ 2.7A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 140µA
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Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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13 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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555 pF @ 400 V
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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22W (Tc)
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Temperatura di esercizio
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-40°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Through Hole
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Package del dispositivo del fornitore
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PG-TO220-FP
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Package / Custodia
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Numero di prodotto di base
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Disegno
1. 10 anni di esperienza nei componenti; Servizio unico per la lista BOM; Servizio PCB e PCBA.
2. Produrre antenne di comunicazione, cavi coassiali RF, connettori RF, terminali.
3. Distribuire moduli GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.
I nostri prodotti di alta qualità, prezzi competitivi e servizio professionale,
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