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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

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La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

Grande immagine : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	TI
Certificazione:	CE,ROHS
Numero di modello:	CSD18563Q5A

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1 pz

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Stabilità di frequenza:	±50 ppm	Tolleranza di frequenza:	± 30 ppm
Temperatura di esercizio:	-40°C ~ 85°C	Capacità di carico:	18pF
Pacchetto / Cassa:	HC-49/US	nome:	componenti elettronici passivi
Evidenziare:	D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET , 300A CSD18563Q5A MOSFET , AEC-Q101 MOSFET qualificato CSD18563Q5A

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per l'automotive e l'energia

Caratteristiche

• Qg e Qgd ultra-bassi

• Diodo morbido per ridurre il suono

• Bassa resistenza termica

• Avalanche classificata

• Livello logico

• Terminale senza Pb

• RoHSCompliant

• Libero da alogene

• SON5mm×6mmPalazzo di plastica

Applicazioni

FET a basso costo per il convertitore di bacchetta industriale

Rettificatore sincrono laterale secondario

Controllo motore

Descrizione

Questo MOSFET di potenza da 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFETTM è stato progettato per accoppiarsi con il FET di controllo CSD18537NQ5A e agire come FET di sincronizzazione per una soluzione completa di chipset di conversione industriale.

Informazioni

Categoria	Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET
Mfr	Texas Instruments
Serie	NexFETTM
Imballaggio	Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reel®
Status della parte	Attivo
Tipo di FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido metallico)
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)	60 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (Max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualificazione	-
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore	8-VSONP (5x6)
Confezione / Cassa	8-PowerTDFN
Numero del prodotto di base	Cassazione di credito

Disegno

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1. 10 anni di esperienza in componenti; servizio one-stop per la lista BOM; servizio PCBandPCBA.

2Produrre antenne di comunicazione, cavi coassiali RF, connettori RF, terminali.

3Distribuire moduli GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

I nostri prodotti di alta qualità, prezzo competitivo e servizio professionale,

Assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.

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Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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