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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

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CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

Grande immagine : CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mΩ RDS ((on) 300A Corrente di commutazione rapida AEC-Q101 Performance termica superiore qualificata D2PAK-7 pacchetto per automotive and power

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	TI
Certificazione:	CE,ROHS
Numero di modello:	CSD18563Q5A

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1 pz

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Stabilità di frequenza:	±50 ppm	Tolleranza di frequenza:	± 30 ppm
Temperatura di esercizio:	-40°C ~ 85°C	Capacità di carico:	18pF
Pacchetto / Cassa:	HC-49/US	nome:	componenti elettronici passivi
Evidenziare:	D2PAK-7 CSD18563Q5A MOSFET , 300A CSD18563Q5A MOSFET , AEC-Q101 MOSFET qualificato CSD18563Q5A

CSD18563Q5A 60V MOSFET 1.7mandOmega; RDS ((on) 300A corrente di commutazione rapida AEC-Q101 prestazioni termiche qualificate superiori D2PAK-7 pacchetto per l'automotive e l'energia

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Caratteristiche

e bull; ultra-basso Qg e Qgd

andbull; Diodo di corpo morbido per ridurre il suono

e bull; bassa resistenza termica

e toro; Avalanche

e bull; livello di logica

e bull; Pb-free terminal plating

e bull; RoHSCompliant

e bull; senza alogeni

e toro; SON5mmandtimes;6mmPalazzo di plastica

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Applicazioni

FET a basso costo per il convertitore di bacchetta industriale

Rettificatore sincrono laterale secondario

Controllo motore

enbsp;

Descrizione

Questo 5,7 mandOmega;, 60 V SON 5 mm e volte; 6 mm NexFETandtrade;power MOSFET è stato progettato per accoppiarsi con il FET di controllo CSD18537NQ5A e agire come FET di sincronizzazione per una soluzione completa di chipset di conversione di buck industriale.

enbsp;

Informazioni

Categoria	Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET	enbsp;
Mfr	Texas Instruments	enbsp;
Serie	NexFETandtrade;	enbsp;
Imballaggio	Nastro e bobina (TR) Nastro di taglio (CT) Digi-Reelandreg;	enbsp; enbsp; enbsp;
Status della parte	Attivo	enbsp;
Tipo di FET	Canale N	enbsp;
Tecnologia	MOSFET (ossido metallico)	enbsp;
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)	60 V	enbsp;
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25anddeg;C	100A (Ta)	enbsp;
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)	4.5V, 10V	enbsp;
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 18A, 10V	enbsp;
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250andmicro;A	enbsp;
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V	enbsp;
Vgs (Max)	eplusmn;20V	enbsp;
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 30 V	enbsp;
Caratteristica FET	-	enbsp;
Dissipazione di potenza (Max)	3.2W (Ta), 116W (Tc)	enbsp;
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)	enbsp;
Grado	-	enbsp;
Qualificazione	-	enbsp;
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale	enbsp;
Confezione del dispositivo del fornitore	8-VSONP (5x6)	enbsp;
Confezione / Cassa	8-PowerTDFN	enbsp;
Numero del prodotto di base	Cassazione di credito

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Disegno

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1. 10 anni di esperienza nei componenti; servizio one-stop per la lista BOM; servizio PCB e PCBA.

2Produrre antenne di comunicazione, cavi coassiali RF, connettori RF, terminali.

3Distribuire moduli GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

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Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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