La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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Funzione: | Passo avanti, passo indietro | Configurazione di Output: | Positivo o Negativo |
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Topologia: | Buck, Boost | Tipo di uscita: | Regolabile |
Numero di uscite: | 1 |
IRFR024NTRPBF MOSFET a canale N da 55 V 24 A con RDS(on) ultra-basso di 0,028 Ω, velocità di commutazione rapida, testato al 100% in valanga, package DPAK compatto, senza piombo e conforme a RoHS
Applicazioni
Applicazioni di azionamento motore a spazzole
Applicazioni di azionamento motore BLDC
Circuiti alimentati a batteria
Topologie a ponte intero e a semiponte
Applicazioni di raddrizzatori sincroni
Alimentatori a modalità risonante
Interruttori di alimentazione OR-ing e ridondanti
Convertitori CC/CC e CA/CC
Inverter CC/CA
Vantaggi
Cancello, valanga e dV/dt dinamico migliorati
Robustezza, capacità di capacità e SOA di valanga completamente caratterizzate
Capacità dV/dt e dI/dt del diodo del corpo migliorata
Senza piombo
Conforme a RoHS, senza alogeni
Caratteristiche
Caratteristiche elettriche
MOSFET a canale N, modalità di potenziamento
Tensione Drain-Source (VDSS): 55V
Corrente di drain continua (lD):
34A (@25°C)
23A (@100°C)
Resistenza di accensione (RDS(on)):
0,0242 (tipico, VGS=10V)0
0,0282 (max, VGS=10V)
Tensione di soglia del gate (VGs(th)): 2V ~ 4V
Tensione massima gate-source (VGs): ±20V
Caratteristiche di commutazione
Capacità di ingresso (Ciss): 1100pF (tipico)
Capacità di uscita (Coss): 300pF (tipico)
Capacità di trasferimento inversa (Crss): 80pF (tipico)
Tempo di ritardo di accensione/spegnimento (td(on)/td(off)): Livello di nanosecondi, adatto per la commutazione ad alta frequenza
Prestazioni termiche
Dissipazione di potenza massima (PD): 48W(@25°C)
Resistenza termica (RθJA): 62°C/W (senza dissipatore)
Intervallo di temperatura di esercizio: -55°C ~ +175°C
Caratteristiche meccaniche e del package
Tipo di package: TO-252 (DPAK), montaggio superficiale
Conforme a RoHS, design senza piombo
Bassa induttanza parassita, ottimizzato per il layout PCB
INFORMAZIONI
Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Nastro e bobina (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reel®
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Stato della parte
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Attivo
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Tipo di FET
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Tecnologia
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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55 V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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75mOhm @ 10A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 250µA
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Carica del gate (Qg) (Max) @ Vgs
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20 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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±20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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370 pF @ 25 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (Max)
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45W (Tc)
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Temperatura di esercizio
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Grado
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-
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Qualificazione
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-
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Package del dispositivo del fornitore
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TO-252AA (DPAK)
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Package / Custodia
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Numero di prodotto di base
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Disegno
Il nostro vantaggio:
assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti. ^_^
Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,
Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo e oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)
Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220