IRFR024NTRPBF MOSFET a canale N da 55V 24A con RDS(on) ultra-basso di 0,028Ω, velocità di commutazione rapida, testato al 100% in valanga, package DPAK compatto, senza piombo e conforme a RoHS

IRFR024NTRPBF 55V 24A N-Channel MOSFET con Ultra-Low 0.028andOmega; RDS ((on), velocità di commutazione rapida 100% Avalanche Tested Compact DPAK Package Lead-Free andamp; RoHS Compliant

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Applicazioni

Applicazioni di azionamento motore spazzolato

Applicazioni di azionamento del motore BLDC

Circuiti alimentati a batteria

Topologie a mezzo ponte e a ponte completo

Applicazioni di raddrizzatori sincroni

Forniture di alimentazione in modalità risonante

Interruttori di funzionamento e di alimentazione ridondanti

Convertitori DC/DC e AC/DC

Invertitori di corrente continua/cambio

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Benefici

Improved Gate, Avalanche e Dynamic dV/dt

Robustezza Completamente caratterizzata Capacità e Avalanche SOA

Capacità migliorata di diodo dV/dt e dI/dt

Senza piombo

Compatibile con la RoHS, privo di alogeni

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Caratteristiche

Caratteristiche elettriche
MOSFET a canale N, modalità di potenziamento

Tensione della fonte di scarico (Vandlt;subandgt;DSSandlt;/subandgt): 55V

Corrente di drenaggio continua (landlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;):
34A (@25anddeg;C)
23A (@100anddeg;C)
"On-Resistance ((Randlt;subandgt;DS)) on) andlt;/subandgt;):
0.0242 (tipico, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V) 0
0.0282 ((max, Vandlt;subandgt;GSandlt;/subandgt;=10V)

Voltaggio di soglia della porta (Vandlt;subandgt;Gs(th)andlt;/subandgt): 2V ~ 4V

tensione massima della porta-sorgente (Vandlt;subandgt;Gsandlt;/subandgt): e piùmn;20V
trasformazione Caratteristiche
Capacità di ingresso (Candlt;subandgt;issandlt;/subandgt;): 1100pF (tipico)

Capacità di uscita (Candlt;subandgt;ossandlt;/subandgt;): 300 pF (tipico)

Capacità di trasferimento inversa (candlt;subandgt;rssandlt;/subandgt;): 80 pF (tipico)

Tempo di ritardo di accensione/disattivazione (tandlt;subandgt;d(on) andlt;/subandgt;/tandlt;subandgt;d(off) andlt;/subandgt): livello di nanosecondi, adatto per la commutazione ad alta frequenza

Performance termica
Dissipation di potenza massima (Pandlt;subandgt;Dandlt;/subandgt;): 48W ((@25anddeg;C)

Resistenza termica (Randlt;subandgt;andtheta;JAandlt;/subandgt): 62anddeg;C/W (senza dissipatore termico)

Intervallo di temperatura di funzionamento: -55°C ~ +175°C
Imballaggio e caratteristiche meccaniche
Tipo di imballaggio: TO-252 (DPAK), montaggio in superficie

Conformità RoHS, progettazione priva di piombo

Bassa induttanza parasitaria, ottimizzata per il layout del PCB

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Informazioni

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Disegno

Il nostro vantaggio:

• Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono 100% nuove e originali, ROHS
• Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto a buon prezzo.
• Servizio professionale --- rigoroso test di qualità prima della spedizione, e perfetto servizio post-vendita dopo l'acquisto.
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Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.


Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Amplificatore di cristalloOscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.