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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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IRF7342TRPBF Coppia MOSFET Duale 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Commutazione Veloce Bassa Carica di Gate Package SOIC-8 Protezione ESD e Ideale per DC-DC/Rettifica Sincrona

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
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IRF7342TRPBF Coppia MOSFET Duale 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Commutazione Veloce Bassa Carica di Gate Package SOIC-8 Protezione ESD e Ideale per DC-DC/Rettifica Sincrona

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Grande immagine :  IRF7342TRPBF Coppia MOSFET Duale 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Commutazione Veloce Bassa Carica di Gate Package SOIC-8 Protezione ESD e Ideale per DC-DC/Rettifica Sincrona

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: Infineon
Certificazione: CE, GCF, ROHS
Numero di modello: IRF7342TRPBF
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Imballato nel vassoio originale, prima, poi in cartone, infine in borsa di bolla per l'imballaggio e
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento: T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
Funzione: Passo avanti, passo indietro Configurazione di Output: Positivo o Negativo
Topologia: Buck, Boost Tipo di uscita: Regolabile
Numero di uscite: 1
Evidenziare:

6.5A coppia MOSFET

,

IRF7342TRPBF MOSFET coppia

,

MOSFET di rettifica sincrona

IRF7342TRPBF Dual 55V 6.5A MOSFET Pair con 50mΩ RDS ((on) Fast Switching Low Gate Charge SOIC-8 Package ESD Protected and Ideale per la rettifica DC-DC / sincrona

Caratteristiche

Tecnologia di generazione V

Ultra bassa resistenza

MOSFET a doppio canale P

Montaggio superficiale

Disponibile su nastro e rulli

Classificazione dinamica dv/dt

Cambiare velocemente

Senza piombo

Descrizione

Le HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di lavorazione avanzate per ottenere una resistenza ad accensione estremamente bassa per area di silicio.combinato con la velocità di commutazione veloce e il design del dispositivo robusto per il quale i MOSFET HEXFET Power sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni.

Il SO-8 è stato modificato attraverso un telaio a piombo personalizzato per migliorare le caratteristiche termiche e la capacità di multi-die rendendolo ideale in una varietà di applicazioni di energia.,Il pacchetto è progettato per le tecniche di saldatura a vapore, a infrarossi o a onde.Dissipazione di potenza superiore a 0.8W è possibile in una tipica applicazione di montaggio per PCB.

Applicazioni

Sistemi di conversione di potenza
Convertitori a rettifica sincrona CC-CC

Dispositivi per il controllo della tensione
Fornitori di alimentazione a commutazione ad alta efficienza (SMP)

Applicazioni di controllo motore
Motori di propulsione BLDC di piccole dimensioni
Controllo del motore passo a passo di precisione
Servosistemi a bassa tensione

Sistemi di gestione delle batterie
Protezione della carica/scarica della batteria al litio

Gestione del percorso di alimentazione (OR)
Commutazione dell'alimentazione dei dispositivi mobili

Sistemi elettronici per l'automotive
Moduli di conversione DC-DC del veicolo
Sistemi di gestione dell'alimentazione ausiliaria
Guidatori di illuminazione per autoveicoli

Apparecchiature di automazione industriale

Moduli di uscita PLC
Fornitori di alimentazione industriali di controllo
Motoristi a bassa tensione

Informazioni

Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Imballaggio
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Status della parte
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido metallico)
Configurazione
2 P-Channel (doppia)
Caratteristica FET
Portale di livello logico
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
55 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
690pF @ 25V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione / Cassa
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Confezione del dispositivo del fornitore
8-SO
Numero del prodotto di base

Disegno

IRF7342TRPBF Coppia MOSFET Duale 55V 6.5A con 50mΩ RDS(on) Commutazione Veloce Bassa Carica di Gate Package SOIC-8 Protezione ESD e Ideale per DC-DC/Rettifica Sincrona 0

Il nostro vantaggio:

  • Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono 100% nuove e originali, ROHS
  • Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto a buon prezzo.
  • Servizio professionale --- rigoroso test di qualità prima della spedizione, e perfetto servizio post-vendita dopo l'acquisto.
  • Inventario adeguato. Con il supporto del nostro forte team di acquisti,
  • Consegna rapida --- spediremo le merci entro 1-3 giorni lavorativi dopo la conferma del pagamento.

assicurarsi di soddisfare le vostre esigenze di tutti i tipi di componenti.^_^


Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.


Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Cristallo e oscillatore, Induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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