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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
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NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C
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Grande immagine :  NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: onsemi
Certificazione: CE, GCF, ROHS
Numero di modello: NDS331N
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Imballato nel vassoio originale, prima, poi in cartone, infine in borsa di bolla per l'imballaggio e
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento: T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
Funzione: Passo avanti, passo indietro Configurazione di Output: Positivo o Negativo
Topologia: Buck, Boost Tipo di uscita: Regolabile
Numero di uscite: 1
Evidenziare:

MOSFET a canale N da 20 V

,

MOSFET a canale N NDS331N

,

NDS331N

NDS331N 20V N-Channel MOSFET 1.6A Continuo 0,25Ω Rds ((on) SOT-23 1.8V Livello logico da -55°C a +150°C

Caratteristiche

1.3 A, 20 V

RDS ((on) = 0,21 @ VGS = 2,7 V

RDS ((on) = 0,16 @ VGS = 4,5 V

Progettazione standard di settore SOT−23 Surface Mount Package utilizzando il progetto proprietario SUPERSOT −3 per capacità termiche ed elettriche superiori

Progettazione di celle ad alta densità per RDS estremamente bassi ((on)

Resistenza di accensione eccezionale e capacità massima di corrente continua

Questo è un dispositivo libero da Pb.

Descrizione generale

Questi transistor a effetto campo di potenza in modalità di potenziamento del livello di logica N-Channel sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria di onsemi, ad alta densità cellulare.Questo processo di densità molto elevata è appositamente progettato per ridurre al minimo la resistenza ad stato attivoQuesti dispositivi sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione nei computer portatili, telefoni portatili, schede PCMCIA e altri circuiti alimentati a batteria in cui la commutazione veloce,e basse perdite di potenza in linea sono necessarie in un pacchetto di montaggio superficiale di contorno molto piccolo.

Applicazioni

Elettronica portatile

Commutazione del carico: gestione dell'energia negli smartphone, nelle cuffie TWS

Protezione della batteria: agisce come interruttore di percorsi di carica/scarica (supporta 1.6A di corrente continua).

Conversione CC-CC a bassa potenza

Rettifica sincrona: abbinata a chip Buck/Boost (ad esempio, TPS61093) per migliorare l'efficienza tramite 0,250 Rds ((on).

Dispositivi per la trasmissione di segnali di alta frequenza

Sensore e elaborazione del segnale

Sensore di commutazione di potenza: controllo di risparmio energetico per sensori di temperatura/umidità, moduli ottici.

Commutazione analogica: sostituisce i relè meccanici nei percorsi del segnale a bassa tensione (< 20 V).

Controllo industriale

Interfacce PLC l/O: azionano LED o piccoli relè (richiede un diodo flyback).
Commutazione a basso livello: controlla ventilatori, piccoli motori, ecc.

Informazioni

Categoria
Mfr
Serie
-
Imballaggio
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Status della parte
Attivo
Tipo di FET
Tecnologia
Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
20 V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C
Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 1,5 A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4,5 V
Vgs (Max)
± 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
162 pF @ 10 V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (Max)
500 mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Confezione del dispositivo del fornitore
SOT-23-3
Confezione / Cassa
Numero del prodotto di base

Disegno

NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C 0

Il nostro vantaggio:

  • Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono 100% nuove e originali, ROHS
  • Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto a buon prezzo.
  • Servizio professionale --- rigoroso test di qualità prima della spedizione, e perfetto servizio post-vendita dopo l'acquisto.
  • Inventario adeguato. Con il supporto del nostro forte team di acquisti,
  • Consegna rapida --- spediremo le merci entro 1-3 giorni lavorativi dopo la conferma del pagamento.

assicurarsi di soddisfare le vostre esigenze di tutti i tipi di componenti.^_^


Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.


Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Cristallo e oscillatore, Induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)

Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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