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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
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NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C
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Grande immagine :  NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: onsemi
Certificazione: CE, GCF, ROHS
Numero di modello: NDS331N
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: negotiable
Imballaggi particolari: Imballato nel vassoio originale, prima, poi in cartone, infine in borsa di bolla per l'imballaggio e
Tempi di consegna: 3-5 giorni lavorativi dopo aver ricevuto il pagamento
Termini di pagamento: T/T, Western Union,
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi al mese
Descrizione di prodotto dettagliata
Funzione: Passo avanti, passo indietro Configurazione di Output: Positivo o Negativo
Topologia: Buck, Boost Tipo di uscita: Regolabile
Numero di uscite: 1
Evidenziare:

MOSFET a canale N da 20 V

,

MOSFET a canale N NDS331N

,

NDS331N

NDS331N MOSFET a canale N 20V 1.6A Continuo 0.25andOmega; Rds(on) SOT-23 Livello logico 1.8V -55anddeg;C a +150anddeg;C

andnbsp;

Caratteristiche

andnbsp;1.3 A, 20 V

andnbsp;RDS(on) = 0.21 @ VGS = 2.7 V

andnbsp;RDS(on) = 0.16 @ VGS = 4.5 V

andnbsp;Contenitore standard del settore SOTandminus;23 a montaggio superficiale che utilizza il design proprietario SUPERSOTandminus;3 per capacità termiche ed elettriche superiori

andnbsp;Design a celle ad alta densità per RDS(on) estremamente basso

andnbsp;Eccezionale capacità di resistenza e corrente continua massima

andnbsp;Questo è un dispositivo Pbandminus;Free

andnbsp;

Descrizione generale

Questi transistor a effetto di campo di potenza a modalità di potenziamento a livello logico a canale Nandminus;Channel sono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria di onsemiandrsquo;, ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è appositamente studiato per ridurre al minimo la resistenza nello stato attivo. Questi dispositivi sono particolarmente adatti per applicazioni a bassa tensione in computer portatili, telefoni portatili, schede PCMCIA e altri circuiti alimentati a batteria in cui sono necessarie commutazioni rapide e basse perdite di potenza inandminus;line in un contenitore a montaggio superficiale di dimensioni molto ridotte.

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APPLICAZIONI

Elettronica portatile

Commutazione del carico: gestione dell'alimentazione in smartphone, auricolari TWS

Protezione della batteria: agisce come interruttore nei percorsi di carica/scarica (supporta 1,6 A di corrente continua).

Conversione DC-DC a bassa potenza

Raddrizzamento sincrono: abbinato a chip Buck/Boost (ad es. TPS61093) per migliorare l'efficienza tramite 0,250 Rds(on).

Spostamento di livello: compatibile con sistemi logici a 1,8 V/3,3 V/5 V per l'isolamento del segnale.

Sensore andamp; Elaborazione del segnale

Commutazione dell'alimentazione del sensore: controllo a risparmio energetico per sensori di temperatura/umidità, moduli ottici.

Commutazione analogica: sostituisce i relè meccanici nei percorsi del segnale a bassa tensione (andlt;20 V).

Controllo industriale

Interfacce I/O PLC: comanda LED o piccoli relè (richiede un diodo di ricircolo).
Commutazione lato basso: controlla ventole, piccoli motori, ecc.

andnbsp;

INFORMAZIONI

Categoria
Mfr
Serie
-
Imballaggio
Nastro andamp; Rullo (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reelandreg;
Stato parte
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25anddeg;C
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250andmicro;A
Carica del gate (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
andplusmn;8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
162 pF @ 10 V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (Max)
500mW (Ta)
Temperatura di esercizio
-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Contenitore del dispositivo del fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
Numero di prodotto di base

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Disegno

NDS331N MOSFET a canale N da 20 V, 1,6 A continuo, 0,25 Ω Rds(on), SOT-23, livello logico 1,8 V, da -55°C a +150°C 0

Il nostro vantaggio:

  • Prodotti di alta qualità --- le nostre offerte sono nuove e originali al 100%, ROHS
  • Prezzo competitivo --- buoni canali di acquisto con un buon prezzo.
  • Servizio professionale --- rigorosi test di qualità prima della spedizione e perfetto servizio post-vendita dopo l'acquisto.
  • Inventario adeguato --- Con il supporto del nostro forte team di acquisto,
  • Consegna veloce --- spediremo la merce entro 1-3 giorni lavorativi dopo la conferma del pagamento.

andnbsp;

assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti. ^_^


Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi andamp; passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,


Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer andamp; potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo andamp; oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)

Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.

Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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