MC34152PG Dual MOSFET Driver 1.5A Corrente di picco 12V-18V Fornitura 50ns Aumento/Caduta DIP-8 -40°C a +85°C

MC34152PG Driver MOSFET doppio 1.5A Corrente di picco 12V-18V Alimentazione 50ns Salita/Discesa DIP-8 -40anddeg;C a +85anddeg;C

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Caratteristiche

andbull; Due canali indipendenti con uscite a totem pole da 1,5 A

andbull; Tempi di salita e discesa dell'uscita di 15 ns con carico da 1000 pF

andbull; Ingressi compatibili CMOS/LSTTL con isteresi

andbull; Blocco di sottotensione con isteresi

andbull; Bassa corrente di standby

andbull; Funzionamento ad alta frequenza efficiente

andbull; Prestazioni di sistema migliorate con circuiti integrati di controllo del regolatore di commutazione comuni

andbull; Prefisso NCV per applicazioni automobilistiche e altre applicazioni che richiedono controlli del sito e delle modifiche

andbull; Questi sono dispositivi senza Pb e senza alogenuri

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DESCRIZIONE

Gli MC34152/MC33152 sono driver doppi non invertenti ad alta velocità progettati specificamente per applicazioni che richiedono segnali digitali a bassa corrente per pilotare grandi carichi capacitivi con elevate velocità di variazione. Questi dispositivi sono caratterizzati da una bassa corrente di ingresso che li rende compatibili con la logica CMOS/LSTTL, isteresi di ingresso per una commutazione rapida dell'uscita che è indipendente dal tempo di transizione dell'ingresso e due uscite a totem pole ad alta corrente, ideali per pilotare i MOSFET di potenza. È incluso anche un blocco di sottotensione con isteresi per prevenire un funzionamento erratico del sistema a basse tensioni di alimentazione.

Le applicazioni tipiche includono alimentatori switching, convertitori dcandminus;toandminus;dc, moltiplicatori/invertitori di tensione a pompa di carica a condensatore e controllori motore.

Questo dispositivo è disponibile in package dualandminus;inandminus;line e a montaggio superficiale.

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Stadio di ingresso

Gli ingressi logici hanno 170 mV di isteresi con la soglia di ingresso centrata a 1,67 V. Le soglie di ingresso sono insensibili a VCC, rendendo questo dispositivo direttamente compatibile con le famiglie logiche CMOS e LSTTL sull'intero intervallo di tensione di funzionamento. L'isteresi di ingresso fornisce una commutazione rapida dell'uscita che è indipendente dal tempo di transizione del segnale di ingresso, prevenendo le oscillazioni dell'uscita quando le soglie di ingresso vengono superate. Gli ingressi sono progettati per accettare un'ampiezza del segnale compresa tra massa e VCC. Ciò consente all'uscita di un canale di pilotare direttamente l'ingresso di un secondo canale per il funzionamento masterandminus;slave. Ogni ingresso ha una resistenza di pull-down da 30 k in modo che un ingresso aperto non collegato faccia sì che l'uscita di pilotaggio associata sia in uno stato basso noto.

Stadio di uscita

Ogni uscita di pilotaggio a totem pole è in grado di erogare e assorbire fino a 1,5 A con una resistenza 'on' tipica di 2,4 a 1,0 A. La bassa resistenza 'on' consente di ottenere elevate correnti di uscita a un VCC inferiore rispetto ai driver CMOS comparativi. Ogni uscita ha una resistenza di pull-down da 100 k per mantenere basso il gate del MOSFET quando VCC è inferiore a 1,4 V. Nessuna protezione da sovracorrente o termica è stata progettata nel dispositivo, quindi è necessario evitare il cortocircuito dell'uscita a VCC o massa.

L'induttanza parassita in serie con il carico farà sì che le uscite del driver squillino sopra VCC durante la transizione di accensione e al di sotto della massa durante la transizione di spegnimento. Con i driver CMOS, questa modalità di funzionamento può causare una condizione di latchup distruttiva dell'uscita. L'MC34152 è immune al latchup dell'uscita. Le uscite di pilotaggio contengono un diodo interno a VCC per il bloccaggio dei transienti di tensione positivi. Quando si opera con VCC a 18 V, è necessario osservare un corretto bypass dell'alimentazione per evitare che lo squillo dell'uscita superi il valore nominale massimo del dispositivo di 20 V. I transienti negativi dell'uscita sono bloccati dal transistor pullup NPN interno. Poiché l'intera tensione di alimentazione viene applicata attraverso il pullup NPN durante il transiente negativo dell'uscita, la dissipazione di potenza ad alte frequenze può diventare eccessiva. Le figure 19, 20 e 21 mostrano un metodo per utilizzare morsetti a diodi Schottky esterni per ridurre la dissipazione di potenza del driver.

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INFORMAZIONI

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Disegno

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