La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Function: | Step-Up, Step-Down | Output Configuration: | Positive or Negative |
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| Topology: | Buck, Boost | Output Type: | Adjustable |
| Number of Outputs: | 1 | ||
| Evidenziare: | AON7534 MOSFET a canale N,MOSFET da 60A continuo,MOSFET a canale n 30V |
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AON7534 MOSFET a canale N da 30 V, 10,5 mandOmega; Rds(on), 60 A Continui, DFN5x6-8L, da -55anddeg;C a +175anddeg;C, AEC-Q101
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Descrizione Generale
andbull; Tecnologia Trench Power MOSFET
andbull; RDS(on) molto basso a 4,5 VGS
andbull; Bassa carica di gate
andbull; Elevata capacità di corrente
andbull; Conforme a RoHS e senza alogeni
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Applicazioni
andbull; Convertitori DC/DC in computing, server e POL
andbull; Convertitori DC/DC isolati in telecomunicazioni e industria
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Caratteristiche
Commutazione di potenza ad alta efficienza
andnbsp; Tensione Drain-Source di 30 V: ideale per sistemi di alimentazione a 12 V/24 V
andnbsp; Corrente continua di 60 A (100 A pulsata): supporta il pilotaggio di carichi ad alta potenza
Perdita di conduzione ultra-bassa
andnbsp; Rds(on)= 10,5 mandOmega; (Vgs=10V): minimizza la dissipazione di potenza, aumenta l'efficienza
Ottimizzazione della commutazione ad alta frequenza
andnbsp; Bassa carica di gate (Qg=38nC): consente il controllo PWM ad alta frequenza (fino a 1 MHz)
andnbsp; Commutazione veloce: tempo di salita/discesa <20ns
Affidabilità e protezione
andnbsp; Testato al 100% in valanga: garantisce la stabilità in condizioni estreme
Certificato AEC-Q101: soddisfa gli standard di affidabilità di grado automobilistico
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Densità di potenza leader: il package DFN5x6-8L è l'80% più piccolo del TO-220
Efficienza superiore: perdita di conduzione inferiore del 30% rispetto ai MOSFET da 15 mandOmega;
Ampio intervallo di temperature: da -55'C a +175'C per ambienti difficili
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INFORMAZIONI
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Categoria
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Produttore
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Serie
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Imballaggio
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Nastro e rocchetto (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reelandreg;
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Stato della parte
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Non per nuovi progetti
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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30 V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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4,5 V, 10 V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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5 mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2,2 V @ 250andmicro;A
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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andplusmn;20V
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Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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1037 pF @ 15 V
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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3W (Ta), 23W (Tc)
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Temperatura di esercizio
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Package del dispositivo del fornitore
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8-DFN-EP (3x3)
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Package / Custodia
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Numero di prodotto base
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Disegno
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Il nostro vantaggio:
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assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti. ^_^
Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,
Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistore, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, morsettiera, cristallo e oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)
Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220