La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
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| Topologia: | Buck, boost | Tipo di uscita: | Regolabile |
| Numero di output: | 1 | ||
| Evidenziare: | AON7534 MOSFET a canale N,MOSFET da 60A continuo,MOSFET a canale n 30V |
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AON7534 30V MOSFET a canale N 10.5mandOmega; Rds(on) 60A DFN continuo 5x6-8L -55anddeg;C a +175anddeg;C AEC-Q101
enbsp;
Descrizione generale
e Bull; tecnologia MOSFET Trench Power
andbull; RDS molto basso ((on) a 4,5 VGS
e bull; Low Gate Charge
e bull; Capacità di corrente alta
andbull; RoHS e Compliant senza alogeni
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Applicazione
andbull; convertitori DC/DC in informatica, server e POL
Convertitori DC/DC isolati per telecomunicazioni e industria
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Caratteristiche
Commutazione di potenza ad alta efficienza
enbsp; 30V Voltaggio di scarico: ideale per sistemi di alimentazione 12V/24V
enbsp; 60A corrente continua (100A pulsata): supporta la guida a carico ad alta potenza
Perdite di conduzione ultrabasse
enbsp; Rds ((on) = 10,5m2 (Vgs=10V): riduce al minimo la dissipazione di energia, aumenta l'efficienza
Ottimizzazione della commutazione ad alta frequenza
enbsp; Low Gate charge (Qg=38nC): consente il controllo PWM ad alta frequenza (fino a 1MHz)
enbsp; commutazione rapida: tempo di risalita/caduta e lt;20ns
Affidabilità e protezione
100% Avalanche Tested: assicura stabilità in condizioni estreme
Certificato AEC-Q101: soddisfa gli standard di affidabilità per l'automotive
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Densità di potenza principale: il pacchetto DFN5x6-8L è inferiore dell'80% a TO-220
Efficienza superiore: perdita di conduzione inferiore del 30% rispetto ai MOSFET di 15mQ
Ampia gamma di temperature: da -55°C a +175°C per ambienti difficili
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Informazioni
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Categoria
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Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
FET, MOSFET
FET singoli, MOSFET
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Mfr
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Alpha andamp; Omega Semiconductor Inc.
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Serie
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-
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Imballaggio
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Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reelandreg;
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Status della parte
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Non per nuovi disegni
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Tipo di FET
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Canale N
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Tecnologia
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MOSFET (ossido metallico)
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Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss)
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30 V
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Corrente - scarico continuo (Id) @ 25anddeg;C
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20A (Ta), 30A (Tc)
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Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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5mOhm @ 20A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2.2V @ 250andmicro;A
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Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs
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22 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
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eplusmn;20V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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1037 pF @ 15 V
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Caratteristica FET
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-
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Dissipazione di potenza (Max)
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3W (Ta), 23W (Tc)
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Temperatura di funzionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Grado
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-
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Qualificazione
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-
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Confezione del dispositivo del fornitore
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8-DFN-EP (3x3)
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Confezione / Cassa
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8-PowerVDFN
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Numero del prodotto di base
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AON75
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Disegno
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Il nostro vantaggio:
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assicurarsi di soddisfare le vostre esigenze di tutti i tipi di componenti.^_^
Elenco dei prodotti
Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.
Le offerte includono:
Circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore, blocco terminale,Amplificatore di cristalloOscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED,LCD, convertitore, PCB (Printed Circuit Board),PCBA (PCB Assembly)
Forte in Brand:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
Fax: 86-755-82815220