SI2333DDS-T1-GE3
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CARATTERISTICHE
andbull; MOSFET di potenza TrenchFETandreg;
andbull; Testato al 100% Rg
andbull; Categorizzazione dei materiali: per le definizioni di conformità, consultare
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APPLICAZIONI
andbull; Smartphone e tablet PC
- Interruttore di carico
- Interruttore batteria
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Panoramica
L'Sl2333DDS-T1-GE3 è un MOSFET a canale P da 20 V avanzato in un package sC-70-3 ultra compatto, ottimizzato per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza e con vincoli di spazio. Con il suo pilotaggio a livello logico di 1,8 V e un Rds(on) ultra-basso di 0,0459, offre prestazioni superiori in elettronica portatile, sistemi automobilistici e dispositivi IoT.
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Informazioni
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Categoria
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Mfr
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Serie
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Imballaggio
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Nastro e bobina (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reelandreg;
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Stato della parte
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione da drain a source (Vdss)
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25anddeg;C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Max)
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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Temperatura di esercizio
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Package del dispositivo del fornitore
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Package / Custodia
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Numero di prodotto di base
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Disegno
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