IRF4905PBF
CARATTERISTICHE
Tecnologia di processo avanzata
Ultra bassa resistenza on-state
Valutazione dv/dt dinamica
Temperatura di esercizio 175°C
Commutazione veloce
Canale P
Completamente valutato per valanga
Senza piombo
Descrizione
I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione elevata e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
L'involucro TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 watt. La bassa resistenza termica e il basso costo dell'involucro del TO 220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Informazioni
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Categoria
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Produttore
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Serie
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Confezione
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Stato parte
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
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Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Max)
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Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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Caratteristica FET
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Dissipazione di potenza (Max)
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Temperatura di esercizio
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Grado
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Qualificazione
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Tipo di montaggio
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Involucro del dispositivo del fornitore
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Pacchetto / Custodia
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Numero prodotto base
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Disegno
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