La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
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| Topologia: | Buck, boost | Tipo di output: | Regolabile |
| Numero di output: | 1 | ||
| Evidenziare: | N-Channel Power MOSFET 55A 60V,TO-220FP MOSFET low gate charge,Logic Level MOSFET high speed switching |
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STP55NF06FP MOSFET di potenza a canale N da 55A 60V con andlt;0,02andOmega; RDS(on) TO-220FP, valutazione a valanga, livello logico, commutazione ad alta velocità e bassa carica di gate per un efficiente controllo della potenza
assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.
Caratteristiche
1:Bassa resistenza di accensione (basso RDS(on)): Resistenza di accensione massima estremamente bassa di 0,02andOmega; (a Vgs=10V), che riduce le perdite di conduzione, migliora l'efficienza e minimizza la generazione di calore.
2:Elevata gestione della corrente: In grado di gestire fino a 55A di corrente di drain continua, con una capacità di corrente di impulso ancora maggiore, rendendolo adatto per applicazioni ad alta potenza.
3:Pilotaggio del gate a livello logico: Bassa tensione di soglia (Vgs(th) tipicamente da 2V a 4V), che consente di essere pilotato direttamente da microcontrollori a 5V o 3,3V (ad esempio Arduino, STM32) senza richiedere circuiti di level-shifting.
4:Velocità di commutazione rapida: Ottimizzato per applicazioni di commutazione ad alta frequenza, come SMPS e controllo motore PWM, riducendo le perdite di commutazione.
5:Pacchetto completamente isolato (TO-220FP FullPak): L'incapsulamento TO-220FP racchiude completamente il dissipatore di calore in metallo, fornendo isolamento miglioratoassicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti. semplificando al contempo l'assemblaggio eliminando la necessità di cuscinetti isolanti aggiuntivi.6:Tensione nominale elevata
: Tensione drain-source (Vds) nominale di 60V, che offre un margine sufficiente per sistemi a 12V, 24V e tensioni superiori.7:Design robusto
: Valutato a valanga, garantendo durata in caso di picchi di energia dovuti alla commutazione di carichi induttivi (ad esempio motori, relè).8:Bassa carica di gate (Qg)
: La bassa carica di gate totale riduce i requisiti di pilotaggio e consente una commutazione efficiente ad alta velocità.andnbsp;
assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.
■ Applicazione di commutazione
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Questi MOSFET di potenza sono stati sviluppati utilizzando l'esclusivo processo STripFET di STMicroelectronics, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica di gate. Ciò rende i dispositivi adatti per l'uso come interruttore primario in convertitori DC-DC isolati ad alta efficienza per applicazioni di telecomunicazioni e computer e applicazioni con bassi requisiti di pilotaggio della carica di gate.
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Categoria
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Prodotti a semiconduttore discreti
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STMicroelectronics
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STripFETandtrade; II
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Tubo
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Attivo
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Canale N
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MOSFET (Ossido di metallo)
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60 V
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50A (Tc)
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10V
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18mOhm @ 27,5A, 10V
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4V @ 250andmicro;A
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60 nC @ 10 V
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andplusmn;20V
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1300 pF @ 25 V
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30W (Tc)
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-55anddeg;C ~ 175anddeg;C (TJ)
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Through Hole
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TO-220FP
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TO-220-3 Full Pack
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STP55
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Il nostro vantaggio:
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