La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
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| Topologia: | Buck, boost | Tipo di output: | Regolabile |
| Numero di output: | 1 | ||
| Evidenziare: | 190A Potenza MOSFET 100V,MOSFET TO-264 ad ultra-basso Rds ((on),MOSFET ad alta densità di potenza |
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IRFI4019HG-117P MOSFET di potenza da 190A 100V Ultra-Low Rds(on) 1,9 mΩ TO-264 Prestazioni robuste ad alta efficienza Gestione termica superiore e alta densità di potenza per applicazioni esigenti
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Caratteristiche
Pacchetto Half-Bridge integrato
Riduce il numero di componenti della metà
Facilita un migliore layout del PCB
Parametri chiave ottimizzati per applicazioni di amplificatori audio in Classe D
Basso RDS(ON) per una maggiore efficienza
Basso Qg e Qsw per una migliore THD e una maggiore efficienza
Basso Qrr per una migliore THD e minori EMI
Può erogare fino a 200 W per canale in un carico da 8Ω in un amplificatore con configurazione Half-Bridge
Pacchetto senza piombo
Senza alogeni
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Applicazioni
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Descrizione
Questo Half-Bridge MosFET audio digitale è progettato specificamente per applicazioni di amplificatori audio in Classe D. È composto da due interruttori MosFET di potenza collegati in configurazione half-bridge. L'ultimo processo viene utilizzato per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Inoltre, la carica di gate, il recupero inverso del diodo del corpo e la resistenza interna del gate sono ottimizzati per migliorare i fattori chiave di prestazione degli amplificatori audio in Classe D, come efficienza, THD ed EMI. Questi si combinano per rendere questo Half-Bridge un dispositivo altamente efficiente, robusto e affidabile per applicazioni di amplificatori audio in Classe D.
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INFORMAZIONI
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Categoria
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Produttore
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Infineon Technologies
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Serie
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Imballaggio
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Tubo
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Stato del componente
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Obsoleto
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Tecnologia
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MOSFET (Metal Oxide)
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Configurazione
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2 N-Channel (Dual)
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Caratteristica FET
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Tensione Drain-Source (Vdss)
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150V
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Corrente - Drain continuo (Id) @ 25anddeg;C
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8.7A
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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95mOhm @ 5.2A, 10V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4.9V @ 50andmicro;A
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Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
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20nC @ 10V
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Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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810pF @ 25V
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Potenza - Max
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18W
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Temperatura di esercizio
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-55anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Through Hole
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Pacchetto / Custodia
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TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
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Pacchetto dispositivo fornitore
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TO-220-5 Full-Pak
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Numero prodotto base
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Disegno
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Il nostro vantaggio:
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assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti.^_^
Elenco prodotti
Fornire una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi. Possiamo aiutarti a ottenere tutto per la distinta base del PCB, in una parola, puoi ottenere una soluzione unica qui,
Le offerte includono:
Circuito integrato, IC di memoria, Diodo, Transistor, Condensatore, Resistore, Varistore, Fusibile, Trimmer e potenziometro, Trasformatore, Batteria, Cavo, Relè, Interruttore, Connettore, Morsettiera, Cristallo e oscillatore, Induttore, Sensore, Trasformatore, Driver IGBT, LED, LCD, Convertitore, PCB (Printed Circuit Board), PCBA (PCB Assembly)
Forte nel marchio:
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
Persona di contatto: Mrs. Natasha
Telefono: 86-13723770752
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