Ultra-Low Rds(on) 0.02Ω IRF4905PBF P-Channel -55A -60V Pacchetto TO-220
Attributi del prodotto
| Attributo |
Valore |
| Funzione |
Step-Up, Step-Down |
| Configurazione dell'uscita |
Positivo o Negativo |
| Topologia |
Buck, Boost |
| Tipo di uscita |
Regolabile |
| Numero di uscite |
1 |
Descrizione del prodotto
Ultra-Low Rds(on) 0.02 Ω IRF4905PBF P-Channel -55A -60V Pacchetto TO-220 Corrente elevata Robusto Valutato per valanga Livello logico Gate Bassa carica di gate 110nC Commutazione veloce Alta efficienza energetica
Caratteristiche
- Tecnologia di processo avanzata
- Ultra bassa resistenza on-state
- Valutazione dv/dt dinamica
- Temperatura di esercizio 175°C
- Commutazione veloce
- P-Channel
- Completamente valutato per valanga
- Senza piombo
Applicazioni
- Commutazione di potenza: Spesso utilizzato nei sistemi di distribuzione di energia come schede madri, server e apparecchiature di comunicazione come interruttore high-side per controllare l'accensione/spegnimento di altri circuiti. Offre alta efficienza e bassa caduta di tensione.
- Azionamento e controllo del motore: Adatto per pilotare motori CC ad alta potenza, come quelli utilizzati in robotica, apparecchiature di automazione industriale e utensili elettrici. Viene comunemente utilizzato in configurazioni a ponte H per la rotazione avanti/indietro e la regolazione della velocità.
- Convertitori DC-DC (Buck/Boost): Nei circuiti di conversione di potenza basati su raddrizzatore sincrono, può fungere da interruttore high-side. È particolarmente adatto per applicazioni con bassa tensione di ingresso (<60V) ma elevati requisiti di corrente, riducendo significativamente le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza complessiva.
- Protezione e gestione della batteria: Come P-MOS, è intrinsecamente adatto per la commutazione del carico in dispositivi alimentati a batteria. Viene comunemente utilizzato nei circuiti di protezione delle batterie al litio e nei BMS (Battery Management Systems) per gestire i percorsi di carica e scarica. La sua bassa resistenza aiuta a ridurre la generazione di calore e prolungare la durata della batteria.
- Inverter e UPS (Uninterruptible Power Supplies): Utilizzato per la commutazione di potenza e il ruotaggio libero in ponti inverter di piccola e media potenza e sistemi di alimentazione di backup.
Descrizione dettagliata
I HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on-state estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con l'elevata velocità di commutazione e il design del dispositivo robusto per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 watt. La bassa resistenza termica e il basso costo del pacchetto del TO 220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Specifiche tecniche
| Categoria |
Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET singoli, MOSFET |
| Mfr |
Infineon Technologies |
| Serie |
HEXFET® |
| Imballaggio |
Tubo |
| Stato della parte |
Attivo |
| Tipo FET |
P-Channel |
| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain-Source (Vdss) |
55 V |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C |
74A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
20mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
180 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
3400 pF @ 25 V |
| Caratteristica FET |
- |
| Dissipazione di potenza (Max) |
200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado |
- |
| Qualifica |
- |
| Tipo di montaggio |
Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia |
TO-220-3 |
| Numero di prodotto di base |
IRF4905 |
Disegno del prodotto
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Elenco prodotti
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