La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.
offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.
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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Funzione: | Step-up, Step-Down | Configurazione di output: | Positivo o negativo |
|---|---|---|---|
| Topologia: | Buck, boost | Tipo di output: | Regolabile |
| Numero di output: | 1 | ||
| Evidenziare: | P-Channel MOSFET 55A TO-220 pacchetto,MOSFET di porta di livello logico ad alta corrente,MOSFET per avalanche a commutazione rapida |
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| Attributo | Valore |
|---|---|
| Funzione | Passo avanti, passo indietro |
| Configurazione di uscita | Positivo o negativo |
| Topologia | Buck, Boost. |
| Tipo di uscita | Regolabile |
| Numero di uscite | 1 |
Ultra-Low Rds ((on) 0.02 Ω IRF4905PBF P-Channel -55A -60V TO-220 Package Alta corrente Robusta Avalanche Rated Logic Level Gate Low Gate Charge 110nC Fast Switching Alta efficienza energetica
Le HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di lavorazione avanzate per ottenere una resistenza ad accensione estremamente bassa per area di silicio.combinato con la velocità di commutazione veloce e il design del dispositivo robusto per il quale i MOSFET HEXFET Power sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in una vasta gamma di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni industriali commerciali a livelli di dissipazione di potenza di circa 50 watt.La bassa resistenza termica e il basso costo del pacchetto del TO 220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
| Categoria | Prodotti di semiconduttori discreti Transistori FET, MOSFET FET singoli, MOSFET |
|---|---|
| Mfr | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Imballaggio | Tubo |
| Status della parte | Attivo |
| Tipo di FET | Canale P |
| Tecnologia | MOSFET (ossido metallico) |
| Voltaggio di scarico alla fonte (Vdss) | 55 V |
| Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
| Tensione di azionamento (max Rds On, min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
| Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ± 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3400 pF @ 25 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (Max) | 200 W (Tc) |
| Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Qualificazione | - |
| Tipo di montaggio | Attraverso il buco |
| Confezione del dispositivo del fornitore | TO-220AB |
| Confezione / Cassa | TO-220-3 |
| Numero del prodotto di base | IRF4905 |
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Forniamo una serie di componenti elettronici, una gamma completa di semiconduttori, componenti attivi e passivi.
Le offerte includono: circuito integrato, circuiti integrati di memoria, diodo, transistor, condensatore, resistore, varistor, fusibile, trimmer e potenziometro, trasformatore, batteria, cavo, relè, interruttore, connettore,Blocco terminale, cristallo e oscillatore, induttore, sensore, trasformatore, driver IGBT, LED, LCD, convertitore, PCB (circuito stampato), PCBA (assemblaggio PCB)
Microchip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK, ecc.
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