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La CIMA è un distributore commerciale professionista dei componenti elettronici in Cina.

offriamo il servizio della soluzione della un-fermata, dai moduli di comunicazione, dalle antenne, dal PWB, da PCBA e da tutte le componenti per il PWB Bom.

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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
La CINA TOP Electronic Industry Co., Ltd. Certificazioni
Prodotto eccellente, la buona qualità, il prezzo competitivo, servizio professionale, con 10 anni di cooperazione, ora diventiamo buoni amici.

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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101
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Grande immagine :  CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

Dettagli:
Place of Origin: China
Marca: Texas Instruments
Certificazione: CE,ROHS
Model Number: CSD17304Q3
Termini di pagamento e spedizione:
Minimum Order Quantity: 1pcs
Descrizione di prodotto dettagliata
Stabilità di frequenza: ±50 ppm Tolleranza di frequenza: ± 30 ppm
Temperatura operativa: -40 ° C ~ 85 ° C. Capacità di carico: 18pF
Pacchetto / caso: HC-49/US Nome: componenti elettronici passivi
Evidenziare:

CSD17304Q3

,

CSD17304Q3 N-Channel NexFET

,

30V N-Channel NexFET

CSD17304Q3

andnbsp;

CARATTERISTICHE

andbull; Ottimizzato per Gate Drive a 5V

andbull; Ultralow Qg e Qgd

andbull; Bassa Resistenza Termica

andbull; Valutato per Valanga

andbull; Placcatura terminale senza Pb

andbull; Conforme a RoHS

andbull; Senza Alogeni

andbull; Pacchetto in plastica SON da 3,3 mm × 3,3 mm

andnbsp;

APPLICAZIONI

andbull; Notebook Point of Load

andbull; Point-of-Load Synchronous Buck in

andnbsp;andnbsp;Networking, Telecomunicazioni e Sistemi Informatici

andnbsp;

DESCRIZIONE

Il CSD17304Q3 è un MOSFET di potenza NexFETandtrade; a canale N da 30 V di Texas Instruments (TI), con un avanzato pacchetto SON da 3,3x3,3 mm. Progettato per conversione di potenza ad alta corrente e alta efficienza, la sua ultra-bassa Rds(on) (2,2 mΩ) e la capacità di corrente continua di 60 A lo rendono ideale per elettronica automobilistica, sistemi di alimentazione industriali e azionamenti motore.

80% più piccolo dei pacchetti TO-220
Perdita di conduzione inferiore del 60% (rispetto ai MOSFET da 5 mΩ)
Supporta la commutazione PWM a 1 MHz

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INFORMAZIONI

Categoria
Produttore
Serie
Imballaggio
Nastro e bobina (TR)
Nastro tagliato (CT)
Digi-Reelandreg;
Stato della parte
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione Drain-Source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25°C
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Capacitanza di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
955 pF @ 15 V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (Max)
2.7W (Ta)
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Pacchetto dispositivo fornitore
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacchetto / Custodia
Numero di prodotto base

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Disegno

CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101 0

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1. 10 anni di esperienza sui componenti; Servizio unico per la distinta base; Servizio PCB e PCBA.

2. Produrre antenne di comunicazione, cavi coassiali RF, connettori RF, terminali.

3. Distribuire moduli GSM/GPRS, GPS, 3G, 4G/LTE.

I nostri prodotti di alta qualità, prezzi competitivi e servizio professionale,

assicurati di soddisfare le tue esigenze per tutti i tipi di componenti. ^_^

andnbsp;

Dettagli di contatto
TOP Electronic Industry Co., Ltd.

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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