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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

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CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

Grande immagine : CSD17304Q3 30V N-Channel NexFET™ 60A Continuous 2.2mΩ Rds(on) SON 3.3x3.3mm -55°C to +150°C AEC-Q101

Dettagli:

Place of Origin:	China
Marca:	Texas Instruments
Certificazione:	CE,ROHS
Model Number:	CSD17304Q3

Termini di pagamento e spedizione:

Minimum Order Quantity:	1pcs

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Frequency Stability:	±50ppm	Frequency Tolerance:	±30ppm
Operating Temperature:	-40°C ~ 85°C	Load Capacitance:	18pF
Package / Case:	HC-49/US	Name:	Passive Electronic Components
Evidenziare:	CSD17304Q3 , CSD17304Q3 N-Channel NexFET , 30V N-Channel NexFET

CSD17304Q3

FEATURES

• Optimizedfor5VGateDrive

• UltralowQgandQgd

• LowThermalResistance

• AvalancheRated

• PbFreeTerminalPlating

• RoHSCompliant

• HalogenFree

• SON3.3-mm×3.3-mmPlasticPackage

APPLICATIONS

• NotebookPointofLoad

• Point-of-LoadSynchronousBuckin

Networking,Telecom,andComputingSystems

DESCRIPTION

The CSD17304Q3 is a 30V N-channel NexFET™ power MOSFET from Texas Instruments (TI), featuring an advanced SON 3.3x3.3mm package. Designed for high-current, high-efficiency power conversion, its ultra-low Rds(on) (2.2mΩ) and 60A continuous current capability make it ideal for automotive electronics, industrial power systems, and motor drives.

✔ 80% smaller than TO-220 packages
✔ 60% lower conduction loss (vs. 5mΩ MOSFETs)
✔ Supports 1MHz PWM switching

INFORMATION

Category	Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Mfr	Texas Instruments
Series	NexFET™
Packaging	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Part Status	Active
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Ta), 56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	+10V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	955 pF @ 15 V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	2.7W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Package / Case	8-PowerTDFN
Base Product Number	CSD17304

Drawing

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1. 10 years components experience; One-Stop service for BOM list; PCB&PCBA Service.

2. Produce Communication Antenna, RF Coaxial Cable, RF Connector,Terminals.

3. Distribute GSM/GPRS,GPS,3G,4G/LTE Module.

Our high quality products , competitive price and professional service,

be sure to meet your need for all kinds of components. ^_^

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mrs. Natasha

Telefono: 86-13723770752

Fax: 86-755-82815220

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Stabilità di frequenza: ±50 ppm

Tolleranza di frequenza: ± 30 ppm

Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C

Capacità di carico: 18pF

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